第三章 内部存储器【自测题】.pptVIP

自测题;? 选 择 ?;3.与外存储器相比，内存的特点是( )。 A.容量小、速度快、成本高 B.容量小、速度快、成本低 C.容量大、速度快、成本高 D.容量大、速度快、成本低 4.计算机的存储器采用分级存储体系（多级结构）的主要目的是( )。 A.便于读/写数据 B.减小机箱的体积 C.便于系统升级 D.解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾;5.某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目分别为( )。 A. 64，16 B. 16，64 C. 64，8 D. 16，16 6、一个16K×32位的存储器，其地址线和数据线的总和是 ( )。 A.48 B.46 C.36 D.52 7.某SRAM芯片，其容量为512×8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最小数目是 ( )。 A.17 B.18 C.19 D.20;8.某计算机的字长是16位，它的存储容量是64KB，按字编址，它的寻址范围是 ( )。 A.64K [0～(64K-1)] B.32KB [0～32KB] C.32K [0～(32K-1)] D.64KB [0～64KB] 9.某机字长32位，其存储容量为1MB。若按字编址，它的寻址范围是 ( )。 A. 0～(1M-1) B. 0～(512K-1)B C. 0～(256K-1) D. 0～256KB;10.某计算机的字长是32位，其存储容量为4MB。若按半字编址，它的寻址范围是 ( )。 A.0～4MB B.0～2MB C.0～(2M-1) D.0～(1MB-1) 11、相联存储器是按( )进行寻址的存储器。 A. 地址指定方式 B. 堆栈存取方式 C. 内容指定方式 D. 地址指定与堆栈存取方式结合;12.交叉存储器实质是一种 ( )存储器，它能( ) 执行( ) 独立的读/写操作。 A.模块式,并行,多个 B.模块式,串行,多个 C.整体式,并行,一个 D.整体式,串行,多个;13.以下四种类型的半导体存储器中，以传送同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是( ) 。 A. DRAM B. SRAM C. FLASH D. EPROM 14.下列元件中存取速度最快的是( )。 A.Cache B.寄存器 C.内存 D.外存 ;15.双端口存储器( )情况下会发生读/写冲突 。 A.左端口与右端口的地址码不同 B.左端口与右端口的地址码相同 C.左端口与右端口的数据码相同 D.左端口与右端口的数据码不同 16.通常计算机的内存储器可采用 ( )。 A.RAM和ROM B.ROM C.RAM ;17.在程序的执行过程中，Cache与主存的地址映射是由 ( ) 。 A.操作系统来管理的 B.程序员来调度的 C.硬件自动完成的 D.操作系统辅助相应的硬件来完成的 18.64KB的内存容量为 ( ) 。 A.64000字节 B.32768字节 C.65536字节 D.32000字节;19.在Cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到Cache的任意一行的位置上，则这种方法称为 ( )。 A.全相联映射 B.直接映射 C.组相联映射 D.混合映射 20.DRAM地址分两次输入（行选通RAS和列选通CAS）的目的是( )。 A.缩短读/写时间 B.减少芯片引出端线数 C.刷新;21.下列说法中正确的是 ( ) 。 A.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆 B.半导体DRAM是易失性的，而SRAM则不是 C.SRAM只有在电源不掉的时候，所存信息是不易失的 ;22.下列有关高速缓冲存储器Cache的说法正确的是( ) 。 A.只能在CPU之外 B.CPU内外都可以设置Cache C.只能在CPU之内 D.若存在Cache，CPU就不需要访问主存;1.某DRAM芯片内部的存储元为128×128结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次。且刷新是顺序对128行的存储元进行的。设存储周期为500ns。求其刷新信号周期和刷新的开销（也即进行刷新操作的时间所占的百分比）。;【解】 刷新信号周期为 2ms/128=0.015625ms 刷新操作的时间为 500ns×128=