金纳米线接触构型相关的双重负微分电阻与整流效应李永辉-物理学报.PDFVIP

金纳米线接触构型相关的双重负微分电阻与整流效应 李永辉 闫强 周丽萍 韩琴 Goldnanowiretip-contact-relatednegativedifferentialresistancetwice and the rectification effects LiYong-Hui YanQiang ZhouLi-Ping HanQin 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,057301(2015) DOI: 10.7498/aps.64.057301 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.057301 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I5 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin Au-Si -Au分子结电子输运性质的理论计算 Theoreticalcalculationofelectrontransportpropertiesof the Au-Si -Aumolecularjunctions 物理学报.2014,63(17): 177304 /10.7498/aps.63.177304 GaAs纳米结点电子输运性质的第一性原理计算 CalculationofelectrontransportinGaAsnanoscalejunctions using first-principles 物理学报.2014,63(13): 137303 /10.7498/aps.63.137303 量子点接触中有关电导0.7结构的研究 0.7structureofconductancequantizationinquantumpoint contact 物理学报.2013,62(1): 017301 /10.7498/aps.62.017301 硼氮原子取代掺杂对分子器件负微分电阻效应的影响 EffectofBandNdopingon thenegativedifferentialresistance inmolecular device 物理学报.2012,61(7): 077303 /10.7498/aps.61.077303 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 5 (2015) 057301 金纳米线接触构型相关的双重负微分电阻与 整流效应 李永辉 闫强 周丽萍 韩琴 (苏州大学物理与光电能源学部, 苏州 215006) ( 2014 年6 月26 日收到; 2014 年10 月9 日收到修改稿) 运用第一性原理密度泛函理论(DFT) 和非平衡格林函数(NEGF) 方法, 研究了[111]Au纳米线与1, 4-二 硫苯酚(DTB) 构成的分子结的电子输运性质. 构建并优化不同的Au-DTB 接触构型, 计算发现: 尖端顶位构 型最利于电流输运; 非对称构型大多具有很好的整流特性(最大整流比为25.6); 部分结构出现双重负微分电 阻(NDR) 效应. 分析表明, 整流效应主要源于非对称接触构型两端S-Au 键的稳定性差别; 尖端金原子与硫原 子的耦合能级中, 近费米面的能级对低压区电子传输起主要作用; 电压增大, 离费米面较远的能级对输运起主 导作用, DTB 的本征能级也逐渐参与, 这一转变致使电流出现两峰一谷的双重NDR 效应. 关键词: 金纳米线, 接触构型, 负微分电阻效应, 整流效应 PACS: 73.63.Rt, 85.35.Ds, 85.65.+h DOI: 10.7498/aps.64.057301 19 的金纳米线; 近年来, Anaïs Loubat 等 获得了