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4.2 下一代光刻方法 4.2.1 电子束光刻：生产光学掩模 （1）装置 黄君凯 教授 图4-14 电子束光刻机 电子束波长： （2）特征 优势: — 无需掩模在晶片上直接形成图像 — 精密化自动控制操控 — 良好的焦深长度 — 生成亚微米抗蚀剂图形 劣势： — 生产效率较低 ( ) 【结论】 采用符合加工器件最小尺寸的最大束径 黄君凯 教授 （3）电子束光刻扫描方式：光栅扫描和矢量扫描 黄君凯 教授 图4-15 扫描方式 束流关闭 （4）电子束外形 — 高斯点束流（圆形束流） — 可变形状束流 — 单元投影 黄君凯 教授 图4-16 电子束外形 （5）电子抗蚀剂 正性（PMMA，PBS）：聚合物与电子相互作用，引起化学键断裂成 小分子段，并溶解于显影液。 负性（COP）：电子辐射诱发聚合物交联，形成高分子量材料，而不 溶解于显影液。 黄君凯 教授 图4-17 电子束正负性抗蚀剂 （6）邻近效应：电子散射导致邻近区域受辐照影响 黄君凯 教授 图4-18 临近效应 0.4mm PMMA膜 4.2.2 极短紫外光刻（EUV） 黄君凯 教授 图4-19 EUV光刻系统 PMMA抗蚀剂 多膜层覆盖，使EUV具备最大反射率 4.2.3 X射线光刻（XRL）：1nm 【注意】 XRL的抗蚀剂相当于接收大量二次电子辐照，故可使用电子 抗蚀剂。 黄君凯 教授 图4-20 XRL系统 低原子数材料的薄型透过膜层（ ） 高原子数材料的吸收膜层（0.5 ） 电子束抗蚀剂 4.2.4 离子束光束： 黄君凯 教授 图4-21 离子束光刻轨迹 空间电荷效应：离子束变宽 4.2.5 各种光刻方法比较：混合匹配使用 — 光学光刻：衍射效应 — 电子束光刻：邻近效应 — EUV光刻：掩模版制备工艺 — X射线光刻：掩模构造复杂性 — 离子束光刻：空间电荷效应 黄君凯 教授 第 5 章 刻 蚀 （1）刻蚀工艺 将抗蚀剂图形转换到抗蚀剂下面的各层材料的工艺过程，重点 是将每一层材料未掩膜部分选择性地去掉。 （2）表征的物理量 各向异性度 （保真度） 设 和 分别是横向和纵向 刻蚀速率，则各向异性度为： ，（5-1） 当 ，称为各向同性刻蚀， 这时， ;当 时，称为各向异性刻蚀，这时 。 黄君凯 教授 图5-1 保真度 选择比 两种不同材料刻蚀速率之比，描述图形转移中各层材料的相互影响。 均匀性 5.1 湿法化学腐蚀 湿法化学腐蚀机理：三个过程 湿法化学腐蚀方式： 浸没式腐蚀和喷淋式腐蚀 黄君凯 教授 图5-2 湿法化学腐蚀 5.1.1 硅的腐蚀 （1）非定向腐蚀 腐蚀剂：硝酸，氢氟酸和醋酸（稀释液）混合水溶液 （2）定向腐蚀 腐蚀剂：KOH、异丙基乙醇和水混合液（23.4 : 13.5 : 63） 定向腐蚀速率之比: 黄君凯 教授 V形槽：小掩模窗口 U形槽 ：大掩模窗口（短腐蚀时间） 垂直井槽: 以（111）面为侧壁 【应用】腐蚀速率与晶向相关，可制造各种图形窗口。 黄君凯 教授 图5-3 定向腐蚀 V形槽 U形槽 垂直井槽 5.1.2 氧化硅的腐蚀 氧化腐蚀缓冲液（BOE） 、 缓冲液（BHF） ： 、 混合水溶液 5.1.3 氮化硅和多晶硅的腐蚀 （1）氮化硅腐蚀 腐蚀液：BOE与沸腾 溶液