浮闸记忆体从发明到数位电子时代.PDFVIP

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2019-02-04 发布于天津
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浮闸记忆体从发明到数位电子时代

1 02 * 4 5 196 7 20 12 Float ing- gat e No n-v o lat i le Se mico nd uct o r Memory 10 10 1. [1] 1967 4 Dawo n Ka hng Be ll ** Laboratories Magnetic Core Memory [2] Metal-oxide-semiconductor, MOS MOSFET [3] * Proceedings of the International Symposium on Nonvolatile Memory the Technology Driver of the Electronics Industry, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, March 2012. ** 3 1 * 03 NANO COMMUNICATION 19No.1 iPhone 1994 20 10 iPad Geo rge 1995 1995 DV D Carey Andy Loya 1997 MP3 1998 2004 Marty Lepselter Zr iPod mini GPS 1998 Z rO2 1999 200 1 DV D 2002 2004 2009 Ultrabook 2011 45