数字电路与逻辑设计（周洪敏）第9章.pptVIP

第九章 半导体存储器 第九章半导体存储器 基本概念 特点：速度快，体积小，集成度高，可靠性高。 结论 字线W和位线b间接二极管，存储信息1， 字线W和位线b间不接二极管，存储信息0。 所以ROM属于组合逻辑，且为最小项表达式或标准与或式，即： D0=W2+W3=A1?A0+A1A0 D1=W0+W1=?A1?A0+?A1A0 D2=W1+W2+W3=?A1A0+A1?A0+A1A0 D3=W0+W1+W3=?A1?A0+?A1A0+A1A0 阵列图表示ROM的结构 阵列图特点 3、“黑点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系 （“与” 或者“或”），在存储矩阵中，表示交叉处有二极管。 9.1.7 ROM的应用 实现组合逻辑函数 代码转换 生成函数表 字符发生器 波形产生。 例9.1.1：试用ROM实现如下组合逻辑函数： F1=AB+?AC F2=AB+?BC 2. 一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要进行编程，但只能编程一次。 3）存储器容量的扩展 位扩展可以用多片芯片并联的方式来实现。 ①各地址线、读/写线、片选信号对应并联， ②各芯片的I/O口作为整个RAM输入/出数据端的一位。 1. 位扩展方式－－增加I/O端个数 用1024×1 位的RAM扩展为1024×8 位RAM ——八片 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 CS R/W A A 0 9 L 0 A W / R CS 9 A 2114（I） 数据输出 CS R/W A A 0 9 L 2114（Ⅱ） 图 9.2.6 2114芯片位扩展 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 * * 半导体存储器是由半导体器件构成的大规模集成电路,专门用来存放二进制信息的,是任何数字电路特别是计算中不可缺少的一部分。 9.1只读存储器(ROM) 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 9.1.1 ROM的结构及工作原理 1）ROM的结构： 存储矩阵M×N 输出电路 b0 b1 … b N-1 D0 D1 … D N-1 地址译码器 W0 … A0 图9.1.1 ROM的结构框图 W1 WM-1 … A1 AK-1 输出电路：1、提高存储器带负载的能力。2、实现输出状态三态控制，与系统数据总线连接。 每当给定一组输入地址时，译码器选中某一条输出字线Wi，该字线对应存储矩阵中的某个“字”，并将该字中的n位信息通过位线送至输出电路进行输出。 存储矩阵M×N 输出电路 b0 b1 … b N-1 D0 D1 … D N-1 地址译码器 W0 … A0 图9.1.1 ROM的结构框图 W1 WM-1 … A1 AK-1 字线 位线 按“字”存放、读取数据，每个“字”由若干个存储单元组成，即包含若干“位”。字的位数称为“字长”。 存储容量是 ROM 的主要技术指标之一，它一般用[字数M×位数N] 来表示。例如：128(字) × 8(位)、1024(字) × 8(位)等等。 ROM 的存储容量 1. 存储容量 存储器存储数据的能力，为存储器含存储单元 的总位数。 存储容量 = 字数? 位数 字 — word 位 — bit 1k ? 1 : 1k ? 4 : 1024 个字 每个字 4 位 存储容量 4 k 256 ? 8 : 256 个字 每个字 8 位 存储容量 2 k 64 k ? 16: 64 k 个字 每个字 16 位 存储容量 1024k（1M） 2. 存储容量与地址位数的关系 存储容量 256 ?4 8 位地址 256 = 28 4 位数据输出 存储容量 8k?8 8k=8?210 =213 13 位地址 8 位数据输出 1024 个字 每个字 1 位 存储容量 1 k 图 9.1.2 二极管ROM 1 1 D3 D2 D1 1 D0 缓冲器 输出电路 存储矩阵 地址译码器 b3 b2 b1 b0 字线 W0 W1 W2 W3 1 1 1 位线 VCC A1 A0 2）ROM的工作原理 1 1 D3 D2 D1 1 D0 缓冲器 输出电路 存储矩阵 地址译码器 b3 b2 b1 b0 字线 W0 W1 W2 W3 1 1 1 位线 VCC A1 A0 1 1 0 1 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3