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黄君凯 教授 5.2 干法刻蚀（等离子体辅助刻蚀） 5.2.1 等离子体原理 等离子体：一种部分或全部离子化的气体，其中含有等量正负性电荷， 以及不同数量的未离化分子。 有效离化率：等离子体中的电子密度与分子密度之比。 5.2.2 等离子体辅助刻蚀机制 （1）刻蚀步骤（五个基本步骤） 生成刻蚀微粒 扩散至反应表面 吸附 物理或化学反应 可挥发 化合物排出 图5-4 干法刻蚀机制 黄君凯 教授 （2）刻蚀方式 溅射刻蚀（物理刻蚀）：接受等离子体中正性离子高速轰击的电极上 放置准备刻蚀的晶片，是一种纯动量转移的 物理性离子轰击。 【优点】各向异性佳。 （激发态中性粒子，强化学活性） 【缺点】选择性差，轰击带来损伤。 等离子体刻蚀（化学刻蚀）：等离子体中的中性反应微粒（形成自由 基）与薄膜间的相互化学作用形成挥发 性物质。 【优点】选择性好，刻蚀率高。 【缺点】各向异性差。 图5-5 刻蚀方式 被刻蚀薄膜 黄君凯 教授 反应离子刻蚀（RIE）：介于溅射刻蚀和等离子刻蚀之间，以物理上的溅 射刻蚀使薄膜表面清洁，从而促进等离子刻蚀的 化学反应进行。 【特点】兼具各向异性和选择性优点（压力 Torr，有效离化率 ） 其他高密度刻蚀（HDP）方式：低压和高有效离化率 （压力 Torr，有效离化率 ） — 线圈耦合等离子体刻蚀（TCP） — 电子回旋共振等离子体刻蚀（ECR） 图5-7 ECR刻蚀 图5-6 TCP刻蚀 黄君凯 教授 （3）等离子体诊断与终点检测 等离子体中中性和离化微粒诊断 光发射分光光谱（OES）：测量等离子体反应物和生成物的辐射光特征 光谱强度诊断该物质。 刻蚀终点控制 激光干涉测量法：反射光一个变化周期的薄膜厚度改变量 （ : 被刻蚀薄膜折射率） 图5-8 OES谱 图5-9 激光干涉测量法 阻挡层TiN Ti 黄君凯 教授 5.2.3 反应离子刻蚀应用 表5-1 不同材料的刻蚀方法 黄君凯 教授 硅沟刻蚀：元件之间的隔断绝缘层 深Si沟（大于 ） — DRAM存储单元的存储电容器绝缘层 （ 刻蚀配方： ） 浅Si沟（小于 ） — 元件间的绝缘隔离 （ 刻蚀配方： ） 图5-10 刻蚀相关性— 硅沟刻蚀率与深宽比关系 黄君凯 教授 绝缘材料刻蚀 膜-刻蚀配方： 比值 富F:刻蚀反应（增加氧） 膜-刻蚀配方： 富C:高分子反应（增加氢） 图5-11 刻蚀气体F/C值 图5-12 高分子反应形成的侧壁保护膜 黄君凯 教授 第六章 扩散 掺杂方法： 扩散（形成深结）和离子注入（形成浅结） 6.1 基本扩散工艺 （1）Si扩散工艺 杂质源： 固态源（