静电场中多畴结构胆甾相液晶的物理变化过程-东南大学学报.PDF

第３０卷第１期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ３０ Ｎｏ１ 　 ２０００年１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊａｎ．２０００ 　　　　　　 静电场中多畴结构胆甾相液晶的物理变化过程 李　青　 张旭苹　 张　健　 王　琛　 张志远 （东南大学电子工程系，南京２１００９６） 摘　要　反射型胆甾相液晶显示具有许多传统液晶显示（ＬＣＤ）不可比拟的优点，称 为第３代ＬＣＤ，本文分析了构成这类显示的多畴胆甾相液晶在静电场下各状态的物 理变化过程．文中以单畴为研究对象，根据胆甾相液晶的Ｆｒａｎｋ弹性连续体理论，建 立了静电场中单畴从平面织构态（Ｐ态）到焦锥织构态（ＦＣ态）以及ＦＣ态到场致向 列相态（Ｈ态）各状态间转化的物理方程．为进一步研究多畴胆甾相液晶相变的动力 学变化规律打下了基础． 关键词　胆甾相液晶；畴；相变；静电场 分类号　ＴＮ１４１ 当胆甾相液晶分子处于周期性螺旋结构，即平面织构 （Ｐ态织构，ｐｌａｎａｒｔｅｘｔｕｒｅ）时，液晶 材料呈现Ｂｒａｇｇ反射特性；当螺旋轴基本上平行于电场，即焦锥织构（ＦＣ态，ｆｏｃａｌｃｏｎｉｃｔｅｘ ｔｕｒｅ）时，液晶材料呈现散射特性，Ｐ态和ＦＣ态具有零场稳定性．利用这种双稳态特性能够形 成反射型显示，与现有的超扭曲液晶显示（ＳＴＮ ＬＣＤ）和有源液晶显示（ＡＭ ＬＣＤ）相比，具 有功耗小、对比度高、视角宽，在阳光下可读等优点，已引起热切重视，被称为第３代ＬＣＤ．在 １９９７年ＳＩＤ会议上，美国ＡＤＳ公司率先展示了快速响应多稳态液晶显示器（ＦＭＬＣＤｆａｓｔｍｕｌｔｉ ［１］ ｓｔａｂｌｅＬＣＤ），并已申请了美国专利 ．ＦＭＬＣＤ采用多畴胆甾相液晶研制而成，响应时间快，已 具备视频显示的基础．对这种新型的具有畴结构的胆甾相液晶在电场作用下的动力学过程尚 不十分清楚，而了解各相态在静电场中的变化是深入研究其动态过程的基础．因此，本文研究 单畴在静电场作用下的变化过程，建立单畴在静电场中的状态转变的方程． 首先，作出如下近似假设： 以一个螺距为长度，分子指向矢的单位长度为半径的圆柱体 ① 为一个畴． 假设盒厚很大，使基板的影响较小，可以将畴的变化模拟为基板中间液晶的行 ② 为； 多畴在电场中的行为是大量单畴的统计行为，这里以单畴为研究对象，其它畴等效为对 ③ 该畴表面的作用．下面将单畴的变化分为２个过程来分析． １　单畴由平面织构到焦锥织构的变化过程 无电场时胆甾相液晶处于Ｐ态，分子呈周期性螺旋结构排列，由于热涨落，液晶指向矢的 取向出现了呈微量的周期性的弯曲畸变和扭曲畸变．当沿螺旋轴施加电场时，由于液晶材料的 导电各向异性和介电各向异性，引起了与上述微量畸变相对应的周期性的空间电荷．这样，液 　 收稿日期：１９９９－０８－０６．　第一作者：女，１９６４年生，硕士，副教授． 第１期 李　青等：静电场中多畴结构胆甾相液晶的物理变化过程 ５９ 晶受到由电场力引起的周期式运动，产生了速度梯度，从而使胆甾相液晶的周期性稳定排列遭 到破坏． 随着电场的增大，胆甾相液晶存在２种可 能变化的趋势，一是根据Ｈｅｌｆｒｉｃｈ提出的渗透原 ［２］ 理 ，如果螺旋结构保持静止不随流体运动，维 持螺旋轴方向不变，那么超过一定阈值电场后 的电场能量将使液晶分子沿着螺旋轴方向运 动，如图１（ａ）所示，呈圆锥形，最后达到系统的 稳定，此时畴的自由能密度为ｇ．另一种变化趋 １ 势是电场大于阈值电场后，平面织构受到微扰 （ａ）分子沿螺旋轴方向运动　　（ｂ）晶畴发生转动　　 后分裂成大小约 １个螺距的许多畴，其取向各 图１　Ｐ态晶畴受电场的作用 ［３］ 不相同，因而产生强烈的光散射，形成了所谓的ＦＣ态 ．随着电场的增加，将