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* * n沟Flash和p沟Flash EEPROM的性能及可靠性的比较 Cell Type Program speed Erase speed Window closure n-channel Slow Fast Exist P-channel Fast Slow None * FG cells should ensure a data retention time of 10 yrs at room temperature: low leakage from FG Accelerated electrical stresses are customarily performed in order to verify that Write/Erase electrical operations at high fields do not endanger the long time retention properties Appearance of a single failing bit is a big concern: the memory chip fails Data retention properties of irradiated FG cells: an open question * VTH statistical distribution 0.15mm2 FG devices I ion irradiation A secondary peak appears at ~6V The very low VTH tail is probably due to double hits (1.5% of hit cells at this fluence) Fresh After 2x107 I ions /cm2 * Flash Memory的工作原理 优点:体积小、功耗省、速度快和成本低 Flash Memory 的结构剖面 * Flash Memory的工作原理 Program：控制栅（CG）和漏接高电平；源和衬底接地。沟道漏端附近产生CHE（Channel Hot Electron）注入浮栅（FG）。 * Flash Memory的工作原理 Erase：控制栅接地或低电平；漏悬空；源接高电平。浮栅上的电子，在沟道源端附近发生FN（Fowler－Nordheim）隧穿，被源端收集。 * Flash Memory的工作原理 (IV特性) Erased Programmed * 半导体存储器的比较 * EPROM与EEPROM的性能对比 EPROM EEPROM 用紫外光擦除 用电擦除 要长时间擦除(半小时) 擦除快(?10ns) 要有独立的擦除设备 系统内编程 封装难(要开窗口) 封装易 对光照反应灵敏 对光照不灵敏 * EEPROM的发展概况 1971年 第一个浮栅器件问世 1972年? 提出堆栅MOS器件结构 1973年?? FRAM关键技术突破 1977年???SIMOS结构提出 1980年? ?16kb EEPROM报道 1982年? 单5V EEPROM报道 1986年???256kb单层多晶硅EEPROM出现 1987年?? ?Flash EEPROM提出 1989年 1Mb 1mm flash EEPROM问世 1Mb 三层多晶硅EEPROM提出 1992年????4Mb flash EEPROM (0.6mm，三阱CMOS工艺)出现 1993年????16Mb flash EEPROM (0.6mm，三阱，单层多晶， 多晶硅化物，单层金属)问世；  单层Poly，用标准CMOS工艺做成的单层多晶硅 EEPROM 问世； 4Mb FRAM问世 * EEPROM工艺技术的发展 年份/年 工艺技术/mm 1982 3.0 1985 2.0 1988 1.25 1989 1 1992 0.6 * EEPROM存储量的发展 年份/年 存储容量 1982 16kb 1985 64kb 1988 256kb 1989 1Mb 1992 4Mb 1994 16Mb * EEPROM存储单元面积的变化 年份/年 存储单元面积/mm2 1979 500 1982 260 1987 54 1989 15.2 1992 3.6 1994 3.4 * EPROM、一次编程PROM、EEPROM的性能对比 ? UV-EPROM 一次编程PROM 双管EEPROM Falsh memory 封装 窗口陶瓷封