ZnO：Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性.pdfVIP

维普资讯 第 1l期 电 子 元 件 与 材 料 、b1．2lNo．1l 2002年 11月 ELECTRoNIC COMPONENTS ＆ MATERIALS Nov．2002 ZnO：AI(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性 黄佳木 ，董建华 ，张新元 (重庆大学B区材料科学与工程系，重庆 400045) 摘要：笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜，系统研究了各工艺参数， 如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明：在纯氢气中且衬底 温度为300C时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8．7Xl0-4Q ·cm，可见光透过率在 85％以上