单晶硅电池中载流子复合的研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

研究生优秀毕业论文 大连理工大学硕士学位论文摘 大连理工大学硕士学位论文 摘 要 单晶硅太阳能电池相比于其他光伏电池由于其较高的光电转换效率仍占据着大部 分光伏市场份额。但是高昂的成本限制单晶硅太阳电池的大规模应用。随着生产工艺技 术的发展，电池硅片将越来越薄。硅片厚度越低，表面复合对光生过剩载流子的寿命影 响越大。因此研究单晶硅电池的体复合与表面复合行为，对提高电池的性能具有重要意 义。准稳态光电导技术(QSSPC)因其不破坏样品形貌，不污染样品，成为广泛使用的表 征样品少子有效寿命。 首先，本文基于过剩载流子的产生与复合理论，分析了在不同注入水平下单晶硅体 寿命的变化特性，并根据单晶硅中非平衡少数载流子的一维连续性方程与少子复合理论 建立数学模型，在准稳态光电导测试模式下通过数值法解连续性方程，最终把表面复合 速率和体寿命分离开。通过计算不同电阻率的P型单晶硅发现，在高注入情况下，比起 恒定常数的体寿命，依赖于非平衡载流子浓度变化的体寿命严重影响载流子的分布。 另外，研究不同滤光片对不同钝化膜的N型单晶硅的有效寿命的影响，通过对比分 析出前后表面的表面复合速率的不同。研究了N型单晶硅丝网印刷铝浆在不同退火条件 下有效寿命的变化，并找出最佳退火条件。 关键词：单晶硅电池；载流子复合；准稳态光电导；铝背场 万方数据 单晶硅电池中载流子复合的研究The 单晶硅电池中载流子复合的研究 The study of carrier recombination on silicon solar cells Abstract Most of the photovoltaic m破et is domiIlated by cry咖lline silicoIl solar ceU because of the lligll conVersion e伍ciency compared to other solar cells．But higll costs llinder me large scale印plication of crystalline silicon solar cells．Wit量1 t11e development of m锄ufktuIing tecllIlique，the solar cell w缸brs wiU get more锄d more thjn．HoweVer，wim tlle reduction of w疵r thjckness，me su“犯e recombination a丘＆ts tlle lif文iIne of excess carriers seriously． 11weStigating tlle bum and s晌ce recombi眦岖on belIavior is蓼eat sigIlificance to iIIlproVe me perfbrmallce of crystalline silicon solar cells．The qua菌-steady s诅te photoconduct蛐ce meaSurements are、Ⅳidelv used to characterize the IninoriW．carrier ef-fective lifetiIIle诵tllout des仃oying t11e s锄ple mo哂holog)，a11d co吡lIIlinating s锄ples． Firstly，in this mesis，baSed on the theor)r of excess carrier generation a11d recombination， tlle ch锄ging characteristics of bulk lifetime证monocrystalliIle silicon is aIlal)rzed蛐dcr di仃Ierent iniecdon 1evels．The ma：tllematical model is esta_blished accordiIlg to the oIlc diI】AensionaI conti删ity eq删on md recombination也eory of excess carriers．The sⅧ{妇 recombination velocity狮d bulk lif．etime are sep批d by using numerical metIlod to solVe the continu时eqmtion under QSSPC meaSure眦nt．Di恐rent dop觚t density WaferS are invest追ated to ex仃act t11e bulk time and SR．