半导体激光器ausn焊料烧结工艺优化与器件特性评价光学工程专业论文.docxVIP

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半导体激光器ausn焊料烧结工艺优化与器件特性评价光学工程专业论文

摘要应用In等软焊料焊装的高功率半导体激光器及其阵列,通常具有焊料易蔓 摘要 应用In等软焊料焊装的高功率半导体激光器及其阵列,通常具有焊料易蔓 延、电迁移及抗疲劳性差的缺点。器件长时间工作后,电极中Au原子可能会渗 入In焊层中导致其受污染失效,严重影响了器件的工作性能和寿命。 本文将从高功率半导体激光器的热特性分析入手,在ANSYS软件有限元分析 和制备半导体激光器AuSn焊料两方面展开。针对实验室已有的808舳半导体激 光器材料和结构特点,进行了半导体激光器的AuSn焊料制备及工艺试验。主要 内容有: 1)利用ANSYS软件,对808姗半导体激光器的焊装方式、不同焊料焊装的 器件内部温度场分布进行了有限元分析,并对结果加以讨论: 2)采用AlN基片作为激光器管芯与无氧铜热沉之间过渡热沉,在其上进行 金锡焊料的制备。实验室自行搭建电镀平台并配置了新型的无氰电镀液,试验探 索了此溶液条件下能达到电镀均匀平整厚Au最佳条件: 3)使用磁控溅射和电镀结合热蒸发镀膜的方法,在AlN基片上制备AuSn焊 料;探索大功率半导体激光器中AuSn合金作为焊层的烧结工艺并优化: 4)将利用无氰电镀液制备的AuSn焊料与以往含氰电镀液制备出的AuSn焊 料进行对比,提出了改进的方向。 关键词:高功率半导体激光嚣:^瞒n合金:无氰电镀:^孵佟:烧结 ABSTRACTCre印舡ld ABSTRACT Cre印舡ld elec伍cal moVement of solder usIIally occ眦red iIl lligll po、Ⅳcr s面conductorla翻冀_sandliIlear-a玎盈ys砌condl】d【orlaserspacka留ed砌lsoftsolders such as In solder is relatively wre矗k iIl endll一玎g f狐gue in deviCe.Au eleC仃0de atoms 缸o IIl solder layer may be c孤l∞d its黼lure,after the device wofks long time,wKch womd seriously in玎uence也e pI晌衄ance and life_time of seIIliconductor laser. S融Jdy on伍e tb锄aI characterisdcs of hi吐Do、Ⅳer s砌coIlduC.tor l刮sers has been persent in廿:lis work.111e fillite element analysis so孙Ⅳare of ANSYS arld AuSn alloy soliters st玎】ctI】res have been rese硼.ched慨retically锄d expeIimentally iIl de俪l f.ocused on 808姗seIIliconductor laser.Maill works aI.e sunlIIlar讫ed as me follo丽ng. 1)Simu Iation tem研潮曲re distriblnion、杭tlliIl me丘11ite element砌ysis of 808nm semiConductor l雒er wel曲19 by(1i丘.erent me廿10ds锄d solder诵t11 ANSYS sonware.and discusse廿le result. 2)W.e usedⅡ1e shuctIlre by AJN ce玎aIIlic plate used as matc出血ng submount b咖en laSer chip and copper hear sinl【and AuSn alloy as solder.An acid eleCnlopl妇g s01嘶0n of Au w嬲prepa∞ed锄d t11e electr9pl撕ng eqllipment、V嬲 desi阻led趾d set u_p based on our lab.The o硼maI conditions f.of uIli{.o衄arld smoo也 廿lick Au elec心0plating witll acid solution、Ⅳere殉mied,qualified A.u despositiIlg layer w弱obtailled,w llich w嬲sa:tisfied for de、,ice bonding. 3)Multiple nletal layers f’0f device boIl幽gⅥneI-e pn疆》ared a11d d印osited onto AlN submo

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