电工学基本放大电路.pptVIP

由新汕大百事通上传 本章要求： 放大的概念: 15.1 共发射极放大电路的组成 放大电路实例 手机通话 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用估算法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 微变等效电路 动态分析图解法 15.3.2 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (3) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： (1)由直流通路求静态工作点。 直流通路 +UCC RB RE + – UCE + – UBE IE IB IC rbe RB RL E B C + - + - + - RS RE 微变等效电路 rbe RB RC RL E B C + - + - + - RS 共射极放大电路特点： 1. 放大倍数高; 2. 输入电阻低; 3. 输出电阻高. 例3： 求ro的步骤： 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 外加 2) 令 或 rbe RB RL E B C + - + - + - RS RE 外加 例4： 求ro的步骤： 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 2) 令 或 Q uCE/V t t iB/?A IB t iC/mA IC iB/?A uBE/V t uBE/V UBE UCE iC/mA uCE/V O O O O O O Q ic Q1 Q2 ib ui uo RL=? 由uo和ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大电路的电压放大倍数。 如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。 若Q设置过高， 晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。 Q2 uo 适当减小基极电流（增大RB）可消除失真。 UCE Q uCE/V t t iC/mA IC iC/mA uCE/V O O O Q1 若Q设置过低， 晶体管进入截止区工作，造成截止失真。 适当增加基极电流（减小RB）可消除失真。 ui uo t iB/?A iB/?A uBE/V t uBE/V UBE O O O Q Q uCE/V t iC/mA uCE/V O O UCE 如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。 合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。 前述的固定偏置放大电路，简单、容易调整，但在温度变化、晶体管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，严重时将使放大电路不能正常工作，其中温度变化的影响最大。 在固定偏置放大电路中，当温度升高时， UBE?、? ? 、 ICBO ?。 上式表明，当UCC和 RB一定时， IC与 UBE、 ? 以及 ICEO 有关，而这三个参数随温度而变化。 温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移。 iC uCE Q 温度升高时，输出特性曲线上移 Q′ 固定偏置电路的Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。 结论： 当温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。 O 基极电位基本恒定，不随温度变化。 VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – RB2 ：使VB基本不变 RE：使IC基本不变 CE：使Au不下降 VB 集电极电流基本恒定，不随温度变化。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 若满足：I2 IB ﹥ ﹥ 从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。 但 I2 越大，RB1、RB2必须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。 VB过高必使VE也增高，在UCC一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。 在估算时一般选取： I2= (5 ~10) IB，VB= (5 ~10) UBE， RB1、RB2