半导体材料及其性.pptVIP

* 1.1 半导体材料及其特性 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 漂移和扩散电流 *1.1.4 过剩载流子 由导电能力的不同，物质可分为导体(Conductors)、绝缘体(Insulators)和半导体(Semiconductors) 。 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 砷化镓GaAs 半导体 Semiconductor 单质半导体 Elemental ～ 化合物半导体 Compound ～ 硅Si和锗Ge 半导体 导电特性 温敏 掺杂 光敏 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 本征半导体是一种完全纯净、结构完整的半导体。 根据导电能力(电阻率)的不同，物质可分为导体(Conductors)、绝缘体(Insulators)和半导体(Semi-conductors) 。 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 一、半导体的共价键(covalent bonds)结构 1.硅的原子结构简化模型 +4 价电子（ valence electrons ） 2.硅晶体共价键结构 空间四面体结构 显示共价键形成的二维晶体结构 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 绝对温度 T= 0 K 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 二、热激发 1.自由电子空穴对 x1 x2 x3 1.1.1 本征半导体 电子 空位 x2 x1 x1 x2 x3 x3 半导体区别于金属导体的一个重要特点:在半导体中有自由电子和空穴两种载流子(carriers)。 结论： 2.空穴的导电作用 3.本征载流子浓度(intrinsic carrier concentrations) 1.1.1 本征半导体 Intrinsic Semiconductor 本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流子的浓度很低，所以总的来说导电能力很差。 结论1： T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.5×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 5×1022/cm3 2 本征半导体载流子浓度随着温度的升高，增加较快，因此与温度密切相关。 结论2： end 1.1.2 杂质半导体 Extrinsic Semiconductor 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电特性发生显著变化。 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 杂质 杂质 1.1.2 杂质半导体 Extrinsic Semiconductor 1. N型半导体 在N型半导体中自由电子（Negative）是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由本征激发形成。 1.1.2 杂质半导体 Extrinsic Semiconductor 1. N型半导体 在N型半导体中 自由电子（Negative）是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由本征激发形成。 杂质 杂质 1.1.2 杂质半导体 Extrinsic Semiconductor 2. P型半导体 在P型半导体中空穴(Positive)是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由本征激发形成。