半导体物理第六.pptVIP

思考题 1、平衡p-n结有什么特点，画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向。 2、定性画出正向偏置时p-n结的能带图。并在图上标出准费米能级的位置，与热平衡时的p-n结能带图进行比较。 3、平衡p-n结既然存在电势差，为什么p-n结又不能作为固体电池呢？ 4、p-n结结处的空间电荷区宽度的数量级是多少？该空间电荷区由什么组成？ 思考题 5、下图为构成p-n结的半导体材料的能带图，请画出热平衡时该p-n结的能带图，标明势垒高度和势垒宽度。 思考题 6、写出p-n结整流方程每一项的物理意义？对于较大的正向偏置电压和反向偏置电压，该方程分别说明什么样的物理过程。 7、p-n结反向电流由那几部分构成，一般情况下什么是主要的？为什么反向电流和温度关系很大 8、解释硅p-n结反向电流随反向电压增加而增大的原因。 思考题 9、测试p-n结反向电流时，有光照和无光照是不一样的，试问那一种情况测出的数值大？为什么？ 10、在隧道二极管中，n区常重掺杂使EFn位于导带中， p区重掺杂使EFp位于价带中，画出这种二极管在零偏和反偏时的能带图，并解释隧道二极管的伏安特性曲线。 11、考虑一个两侧掺杂浓度相等（NA=ND）的突变p-n结，画出其电荷、电场强度、电势在反偏条件下与到p-n结距离x的函数关系。 思考题 12、分别画出正、反向偏置时p-n结n侧少数载流子浓度与到p-n结距离之间的函数关系曲线，指出过剩载流子浓度何处为正，何处为负？ 13、说明p-n势垒电容和扩散电容的物理意义，分别讨论它们与电流或电压的关系。反偏p-n结有无扩散电容？为什么？ 14、区别雪甭击穿和隧道击穿（齐纳击穿）的不同。为什么低击穿电压(VB4.5V)的p-n结击穿电压的温度系数是负的，而高击穿电压时却是正的？ 思考题 15、为什么p-n结的接触电位差不能通过完用表跨接在二极管两端的方法进行测量？ 16、当p-n结n型区的电导率远远大于p型区的电导率时，p-n结电流主要是空穴流还是电子流？ 17、说明处于开路条件下的突变p-n结其接触电位差与那些物理量有关？为什么一个开路的p-n结必然形成接触电位差？ 思考题 18、（1）说明p-n结理想模型（即扩散模型）的基本假设。 （2）在推导p-n结电流－电压关系时，这些基本假设体现在那些地方？ （3）对于非理想情况应做如何修正（着重从物理角度予以说明）？ 19、选择正确答案填入横线上： （1）在相同偏压下，单边突变p+-n结单位面积电容量主要由 决定（n区掺杂浓度，p+区掺杂浓度，p-n结面积） 思考题 19、选择正确答案填入横线上： （2）在相同正向电流IF情况下，锗p-n结的正向微分电阻r0比硅p-n结的r0 偏压下，在相同正向电压VF情况下，锗p-n结的正向微分电阻r0比硅p-n结的r0 （大，小，相同）。 （3）p-n结雪崩击穿电压随温度升高而 ，p-n结的隧道击穿电压随温度升高而（提高，降低，保持不变） （4）如果略去接触电阻和体电阻，p+-n结在大注入情况下外加正向电压 ， 思考题 19、选择正确答案填入横线上： （4）如果略去接触电阻和体电阻，p+-n结在大注入情况下外加正向电压 ， p+-n结在小注入情况下，外加电压 （只降落在势垒区，只降落在扩散区，势垒区和扩散区各降落一部分）。 （5）若保持p-n结上正向电压VF不变，且n区掺杂浓度和少子寿命不变，而p区掺杂浓度增加，则在n区的非平衡少子贮存电荷量 ，在p区的非平衡少子贮存电荷量 ， （增加，减少，不变）。 思考题 20、p-n结接触电势差VD有无可能超过禁带宽度Eg？为什么？ 21、画出整个p-n结在均匀光照下的能带图，图上表明准费米能级EFn、EFp的变化（考虑p-n结开路、短路两种情况）。 22、比较不同电阻率的锗p-n结的反向电流密度的大小。比较电阻率近似相等的锗、硅p-n结的反向电流密度的大小。 23、说明p+-n结在正向偏置条件下，p区空穴电流如何转换成n区电子电流。 * * * * *