SiCMOSFET、SiCoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的.PDF

2015 年 6 月 电 工 技 术 学 报 Vol.30 No. 12 第 30 卷第 12 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Jun. 2015 SiC MOSFET、Si CoolMOS 和IGBT 的特性 对比及其在DAB 变换器中的应用 1 1 2 1 1 梁 美 郑琼林 可 翀 李 艳 游小杰 （1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044 2. 华北水利水电大学电力学院 郑州 450046 ） 摘要 碳化硅（SiC ）半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。SiC 半导体 器件作为一种新型器件，对其与 Si 半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了 SiC MOSFET 、Si CoolMOS 和IGBT 的静态特性。并搭建了基于Buck 变换器的测试平台，测试条 件为输入电压为400V ，电流为4 ～10A，对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt 、 di/dt 以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2kW 的双主动全桥（DAB ）变换器的实验样 机，对比了应用三种器件的DAB 变换器的理论效率和实测效率。 关键词：SiC MOSFET CoolMOS IGBT 特性 DAB 变换器 中图分类号：TN409 Performance Comparison of SiC MOSFET, Si CoolMOS and IGBT for DAB Converter Liang Mei 1 Trillion Q Zheng 1 Ke Chong2 Li Yan 1 You Xiaojie 1 （1. Beijing Jiaotong University Beijing 100044 China 2. North China University of Water Resources and Electric Power Zhengzhou 450046 China ） Abstract Silicon carbide(SiC) semiconductor devices have received extensive attention with the better performance of the wide band gap material. It is necessary to compare with their silicon(Si) counterparts due to SiC semiconductor devices are new. In this paper, the static characteristics of SiC MOSFET, Si CoolMOS and IGBT are compared. Then, the test platform based on buck converter is constructed, the input voltage of which is 400V, the output current of which is 4～10A. Switching waveforms, switching times, dv/dt, di/dt and reverse recovery characteristic of internal diodes of three devices are tested. Finally, theoretical efficien