版图技术——外器件及阻容元件设计.pptVIP

第7章 外围器件及阻容元件设计 * 主要内容 7.1 特殊尺寸器件的版图设计 7.2 电阻、电容及二极管的版图设计 7.3 CMOS集成电路的静电放电保护电路 7.4 压焊块的版图设计 7.5 电源和地线的设计 7. 1 特殊尺寸器件的版图设计 特殊尺寸器件是指： ① 大尺寸——MOS管宽长比（W/L）很大； ② 小尺寸——W/L＜1（倒比管）。 7.1.1 大尺寸器件 1. CMOS电路的缓冲输出 缓冲输出是指在内部电路输出端串联二级反相器，改善输出驱动能力。各级器件尺寸（W/L）： I0为小尺寸，I1为中等尺寸，I2为大尺寸。I2的尺寸根据输出电流的大小和输出波形参数的要求进行设计。 CMOS集成电路的缓冲输出 2. 大尺寸器件 反相器I2的版图布局：通过改变MOS管的图形形状进行设计。 (1）分段──大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。 (a) MOS管的W/L=200/1 (b) 截成4段（W/L=50/1） （2）源漏共享──合并源/漏区，4个小MOS管并联成大尺寸MOS管 (a)形成S-G-D、S-G-D…排列 (b)左起第二个和第四个的源和漏互 (c)变成S-D-D-S-S-D-D-S的排列 并联管数为N，并联管的宽长比等于大尺寸管宽长比的1/N。并联后连接源和漏的金属线形成“叉指”结构。 3. 隔离环及其作用 1) 寄生MOS管 当金属线通过场氧化层时,金属线和场氧化层及下面的硅衬底形成一个MOS管。如果金属线的电压足够高,会使场区的硅表面反型,在场区形成导电沟道,这就是场反型或场开启。寄生MOS管接通不该连通的两个区域，破坏电路的正常工作。 (a)金属导线跨过两个扩散区 (b)场反型形成场区寄生MOS管 寄生MOS管示意图 2)场开启电压 影响场开启电压的因素： ① 场氧化层厚度——场氧化层越厚，场开启电压就越高。 ② 衬底掺杂浓度——衬底浓度越高，场开启电压也越高。 要求场开启电压足够高，至少应大于电路的电源电压，使每个MOS管之间具有良好的隔离特性 版图设计中增加沟道隔离环提高场开启电压。 3) 沟道隔离环 沟道隔离环是制作在衬底上或阱内的重掺杂区，能提高场开启电压，防止衬底反型形成寄生MOS管。 P管的隔离环是N-衬底上的N+环 N管的隔离环是P-阱内的P+环 4) 大尺寸NMOS管 ① 制作在P阱(实线)内，有源区为虚线。 ② 由4个MOS管并联。 ③ 多晶硅栅为封闭结构，左边用金属引线连接，保证每个并联N管的栅极得到的信号相同。 ④ 在阱外，N管四周有N+隔离环，隔离环的有源区是完整的封闭环。隔离环具有一定宽度，环上每隔一段距离开一个接触孔并用金属线将环连接到Vdd。 ⑤ 连接隔离环的金属线在左右边都开口，让金属线从隔离环内和环外进行连接。 ⑥ 在P阱的上下两端各进行重掺杂，作为N管源区和衬底的接触。 5) P阱硅栅CMOS反相器输出级与压焊块(PAD)的连接 特点:① P管和N管都由多管并联而成。 ② P管和N管放在两个隔离环内。 ③ 考虑到电子迁移率比空穴约大2.5倍，所以P管的尺寸比N管大，使反相器的输出波形对称。 (a) 无铝层的版图 (b) 完整的版图 7.1.2 倒比管 1）W/L1的MOS管称为倒比管。 倒比管在电路中可作为上拉电阻或下拉电阻。作上拉电阻用栅极接地的P管；作下拉电阻用栅极接电源的N管。 2）应用实例：开机清零电路。 开机清零电路 3）版图：有源区设计成U型(图a)或反S型(图b)。 (a) U型：L=2L1+L2 (b) 反S型 7. 2 电阻、电容及二极管的版图设计 7.2.1 MOS集成电路中的电阻 1.半导体扩散薄层的方块电阻 R =ρL/ dW=(ρ/d)L/W 薄层导体的电阻R 与L/W成正比，比例系数ρ/d 称为方块电阻(用R□表示)，单位为欧姆。 R□=ρ/d R= R□L/W