zno基材料的制备和性能研究物理学凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料，室温下的禁带宽度为3．37 eV，激予束缚能高达60 meV。这些特性使ZnO可望在室温下产生很强的紫外光 致激子发射，有利于研制Zno基高效率发光二极管(LED)、紫外光探测器、 以及激光二极管(LD)等短波长光电子器件。目前，有关ZnO材料的研究主要 集中于ZnO基薄膜的光电子器件、能带结构工程，以及ZnO纳米颗粒的气敏、 光敏特性方面。尽管III族元素掺杂ZnO薄膜已逐渐开始应用于产业领域，掺Al 和掺Ga的ZnO薄膜被大量的研究，但其电阻率还不能满足高性能光电子器件的 要求(～l旷Q·em)。另一方面，In掺杂ZnO薄膜的研究相对较少，其有关透明 导电薄膜以及共掺杂制备P型ZnO方面还需进一步研究。与此同时，制备带隙可 调的MgxZnl-xo薄膜，以及以此为基础构建的量子阱结构是ZnO基能带工程研究 的最重要环节，有关此方面的研究还处于初始阶段。除ZnO基薄膜外，ZnO纳 米颗粒在光化学领域有着很好的应用前景，受到了大量的关注和研究，其在高 温合成方面报道的还较少，需要更多的探索和研究。 为有效提高In在ZnO中的掺杂效率，本论文利用直流磁控反应溅射方法在 富氧气氛中制备ZnO：ln薄膜。实验表明，利用直流磁控反应溅射法，In原子不 易掺入ZnO薄膜，制各的薄膜质量较差。随着衬底温度的升高，薄膜的质量得 到改善，然而还是难以达到实际应用的要求：高含量In掺入ZnO薄膜，导致带 隙宽度减小，抑制了紫外区域的带边发光，此性能研究目前还鲜有报道；薄膜 中的载流子迁移率很低，致使薄膜的电导率较低。 制备带隙可调的高质量MgxZnl．xO薄膜是实现ZnO基能带工程的关键环节。 本论文采用直流磁控反应溅射方法在不同衬底上生长MgxZnl嗡O薄膜，并对其进 行后退火处理研究。研究发现，溅射气氛中的氧分压对薄膜中的Mg含量影响很 大，Mg的引入有利于提高薄膜的结晶质量，提高薄膜中的氧含量。 02JAr+02=0．6气氛下制备的MgxZnl．xO薄膜结晶质量最好，薄膜中的氧含量最 大，带隙宽度值最大。后退火处理可有效改善薄膜的结晶质量，降低薄膜中的 缺陷数目，提高薄膜的带边发光，同时减弱由缺陷引起的可见光发光。随着退 火温度的升高，薄膜中的相对Mg浓度升高，相应的带隙宽度增大。 由于ZnO纳米颗粒的心用日益广泛，其特性研究显得越来越重要，高温的 由于ZnO纳米颗粒的心用日益广泛，其特性研究显得越来越重要，高温的 火焰喷雾法制备ZnO基纳米颗粒还未见报道。本论文利用火焰喷雾法制备ZnO 纳米颗粒，并首次报道了Mg。Znl．xO和In，Znl-yO纳米颗粒的制备和光学性能研 究。结果表明，溶液浓度对颗粒的粒径大小和分布有着重要的影响，溶液浓度 越小，粒径越小，分布越均匀。通过一系列物理分散后，可以得到分散均匀的 ZnO纳米颗粒，发光谱显示薄膜缺陷引起的发光很弱，此可能与制备过程中的 高温有关。此外，MgxZnl．xo纳米颗粒的带隙宽度增大，室温下带边处发光峰能 量增大，发光强度增强；InyZnI-yO纳米颗粒的带隙宽度减小，光学性能变差。 以上是本论文进行的主要研究工作，其不仅丰寓了不同结构ZnO材料的制 备和特性研究，还有助于推动ZnO基材料的应用化和产业化。 关键词：反应溅射，火焰喷雾法，ZnO薄膜，纳米颗粒，光学性质 AbstractAbstract Abstract Abstract Znic oxide(ZnO)is a direct band-gap II-Ⅵsemiconductor with an energy gap of about 3·37 eV at room temperature，which has a large exciton binding energy of 60 meV．Based on these properties，ZnO shows a strong UV excitonic emission at room temperature，which is helpful for short-wavelength photoelectric devices，such as high efficient light emitting diode(LED)，ultraviolet visible detector,and laser diode(LD)． Nowadays，most of researches on ZnO are focused on photoelectron devices，the band gap engineering based ZnO films and the gas-sensing or photosens