沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定-电子学报.PDF

第５期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．５ ２０１８年５月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｍａｙ　２０１８ 沟道宽度对６５ｎｍ金属氧化物半导体 器件负偏压温度不稳定性的影响研究 １ １ ２ １，２ １，２ １，２ １ １ １ 崔江维 ，郑齐文 ，余德昭 ，周　航 ，苏丹丹 ，马　腾 ，魏　莹 ，余学峰 ，郭　旗 （１中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室， 中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐８３００１１；２中国科学院大学，北京 １０００４９） 　　摘　要：　随着ＭＯＳ器件尺寸缩小，可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题．ＰＭＯＳ晶体管的负偏压温度不稳 定性（ＮＢＴＩ）是其中关键问题之一．ＮＢＴＩ效应与器件几何机构密切相关．本文对不同宽长比的６５ｎｍ工艺ＰＭＯＳＦＥＴ晶 体管开展了ＮＢＴＩ试验研究．获得了ＮＢＴＩ效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系，试验结果表明６５ｎｍＰＭＯＳＦＥＴ 的ＮＢＴＩ损伤随沟道宽度减小而增大．通过缺陷电荷分析和仿真的方法，从ＮＢＴＩ缺陷产生来源和位置的角度，揭示了 产生该结果的原因．指出浅槽隔离（ＳＴＩ）区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因．研究结果为器件可靠性设 计提供了参考． 关键词：　６５ｎｍ；负偏压温度不稳定性；沟道宽度 中图分类号：　ＴＮ３８６１　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１８）０５１１２８０５ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１８．０５．０１６ ＥｆｆｅｃｔｏｆＣｈａｎｎｅｌＷｉｄｔｈｏｎＮＢＴＩｉｎ６５ｎｍＰＭＯＳＦＥＴ １ １ ２ １，２ １，２ １，２ ＣＵＩＪｉａｎｇｗｅｉ，ＺＨＥＮＧＱｉｗｅｎ，ＹＵＤｅｚｈａｏ，ＺＨＯＵＨａｎｇ ，ＳＵＤａｎｄａｎ ，ＭＡＴｅｎｇ ， １ １ １ ＷＥＩＹｉｎｇ，ＹＵＸｕｅｆｅｎｇ，ＧＵＯＱｉ （１ＴｈｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓｆｏｒＳｐｅｃｉａｌＥｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ，ＸｉｎｊｉａｎｇＴｅｃｈｎｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ ＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｕｒｕｍｑｉ，Ｘｉｎｊｉａｎｇ８３００１１，Ｃｈｉｎａ； ２ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００４９，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　ＡｓｔｈｅｓｉｚｅｏｆＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｈｒｉｎｋｓ，ｔｈｅｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｅｆｆｅｃｔｂｅｃｏｍｅｓａｐｒｏｍｉｎｅｎｔｐｒｏｂｌｅｍｔｈａｔｌｉｍｉｔｓｔｈｅｌｉｆｅ ｔｉｍｅｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅ．Ｎｅｇａｔｉｖｅｂｉａｓｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ（ＮＢＴＩ）ｏｆＰＭＯＳＦＥＴｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｋｅｙｉｓｓｕｅｓ．ＮＢＴＩｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｉｓ ｃｌｏｓｅｌｙｒｅｌａｔｅｄｔｏｔｈｅｄｅｖｉｃｅｇｅｏｍｅｔｒｙ．Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｗｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｔｈｅＮＢＴＩｅｆｆｅｃｔｏｆ６５ｎｍＰＭＯＳＦＥＴ．Ｂｙｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ，ｗｅ ｏｂｔａ