纳米絮状碳膜的制备及场发射特性-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２５ １ Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．１ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２０１０ ２ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ｆｅｂ．２０１０ ｑ ｙ ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２０１００１００５７０５ 纳米絮状碳膜的制备及场发射特性 崔雪菡，顾广瑞 （延边大学 理学院 物理系，吉林 延吉 ， ： ） １３３００２Ｅｍａｉｌｃｕｉｘｕｅｈａｎ ａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎ ＠ｙ 摘 要：采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ ）技术，以 和 为源气体，硅片为衬底制 ＥＣＲＣＶＤ ＣＨ Ｈ 　 ４ ２ 备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、 浓度等工艺参数的改变 ＣＨ４ 对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌，得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度 电  场（ ）曲线 和 （ ）曲线，研究了 浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着 犑犈 ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ ＦＮ ＣＨ４ ＣＨ４浓度的增加，碳膜的阈值电场逐渐降低，发射电流密度逐渐增加。 关 键 词：电子回旋共振化学气相沉积；纳米絮状碳膜；场发射特性 　 　 中图分类号：ＴＮ８７３．９５ 文献标识码：Ａ 　　　 犘狉犲犪狉犪狋犻狅狀犪狀犱犈犾犲犮狋狉狅狀犉犻犲犾犱犈犿犻狊狊犻狅狀 狆 犆犺犪狉犪犮狋犲狉犻狊狋犻犮狊狅犳犖犪狀狅犆犪狋犽犻狀犆犪狉犫狅狀犉犻犾犿狊  ， ＣＵＩＸｕｅｈａｎＧＵＧｕａｎｒｕｉ ｇ （ ， ， ， ， ， ： ） 犇犲犪狉狋犿犲狀狋狅 犘犺狊犻犮狊犆狅犾犾犲犲狅 犛犮犻犲狀犮犲犢犪狀犫犻犪狀犝狀犻狏犲狉狊犻狋 犢犪狀犻 １３３００２ 犆犺犻狀犪 犈犿犪犻犾犮狌犻狓狌犲犺犪狀 犪犺狅狅．犮狅犿．犮狀 狆 犳 狔 犵 犳 狔 犼　 ＠狔