氧气流量对磁控溅射AZO薄膜光电性能的影响-西安理工大学学报.PDF

３０６ 　西安理工大学学报 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（２０１１）Ｖｏｌ．２７Ｎｏ．３　 　　文章编号：１００６４７１０（２０１１）０３０３０６０５ 氧气流量对磁控溅射ＡＺＯ薄膜光电性能的影响 丁宇，蒋百灵，田亚萍，马二云，张晓静，曹智睿，赵志明 （西安理工大学 材料科学与工程学院，陕西 西安７１００４８） 摘要：采用直流反应磁控溅射方法在载玻片基体上制备ＡＺＯ薄膜，研究氧气流量对所制备ＡＺＯ薄 膜光电性能及微观结构的影响。结果表明，氧气流量显著影响ＡＺＯ薄膜的光电性能和结晶状况， －６ ３ 当氧气流量高于０．０８×１０ ｍ／ｓ时所制备的薄膜可见光透过率高但薄膜不导电；当氧气流量低 －６ ３ 于０．０４×１０ ｍ／ｓ时沉积的薄膜呈现出金属性特征，薄膜导电不透明；只有在一个较窄的氧气流 －６ ３ 量范围内才能制备出光电性能均优的ＡＺＯ薄膜。当氧气流量为０．０６×１０ ｍ／ｓ时沉积的ＡＺＯ －３ 薄膜具有较低的电阻率，为２．３９×１０ ·ｃｍ，且薄膜在可见光区薄膜的平均透过率在９０％以上。 Ω 关键词：ＡＺＯ薄膜；直流反应磁控溅射；氧气流量；光电性能 中图分类号：Ｏ４８４．１　　　文献标志码：Ａ  ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＯｘｙｇｅｎＦｌｕｘｏｎＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡＺＯＦｉｌｍｓ ． ＤｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇＭｅｔｈｏｄ ＤＩＮＧＹｕ，ＪＩＡＮＧＢａｉｌｉｎｇ，ＴＩＡＮＹａｐｉｎｇ，ＭＡＥｒｙｕｎ，ＺＨＡＮＧＸｉａｏｊｉｎｇ，ＣＡＯＺｈｉｒｕｉ，ＺＨＡＯＺｈｉｍｉｎｇ （ＦａｃｕｌｔｙｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＸｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉａｎ７１００４８，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡＺＯｆｉｌｍｓａｒｅｄｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎｔｏｔｈｅｇｌａｓｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｂｙＤＣｍａｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅｉｎ ｆｌｕｅｎｃｅｓｏｆｏｘｙｇｅｎｆｌｏｗｏｎｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＡＺＯａｒｅｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗｔｈａｔｏｘｙｇｅｎｆｌｕｘｃａｎｄｒａｍａｔｉｃａｌｌｙａｆｆｅｃｔｔｈｅｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｔａｔｕｓｏｆＡＺＯ ｆｉｌｍｓ．Ｔｈｅｆｉｌｍｓｈａｖｅｅｘｃｅｌｌｅｎｔｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｂｕｔｐｏｏｒｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙａｔａｎｏｘｙｇｅｎｆｌｕｘｈｉｇｈｅｒ －６ ３ －６ ３ ｔｈａｎ０．０８×１０ ｍ／ｓ．Ｗｈｉｌｅｔｈｅｏｘｙｇｅｎｆｌｕｘｉｓｌｏｗｅｒｔｈａｎ０．０４×１０ ｍ／ｓ，ｔｈｅｆｉｌｍｓｄｅｐｏｓｉｔｅｄｅｘ ｈｉｂｉｔｍｅｔａｌｌｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｂｕｔｎｏｔｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）．Ａｃｃｏｒｄｉｎｇｌｙ，ｏｎｌｙｉｎａｎａｒｒｏｗｒａｎｇｅｏｆｏｘ ｙｇｅｎｆｌｕｘＡＺＯｆｉｌｍｓｗｉｔｈｂｏｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅａｎｄｌｏｗｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙｃａｎｂｅｏｂｔａｉｎｅｄｏｒｐｒｅｐａｒｅｄ．Ｔｈｅ －６ ３