模拟电子技术-第三章-场效应管及其基本电路..ppt

模拟电子电路 第三章 场效应管及其基本电路 第三章习题课 联立上述两方程，得到：ID1=0.61mA，ID2=1.64mA 将ID1=0.61，ID2=1.64mA代入（1）式，分别得到UGS1=-1.1V，UGS2=-11.4V ——（1） ——（2） 因为UGS2UGSoff，所以ID2舍去。 R1 R2 R3 RD RS10k 20V 则：UDSQ=20-0.61×(10+10)=7.8V。 因此：IDQ=0.61mA UGSQ=-1.1V R D U DD R S u i R G V ( a ) 问题：对于自偏压式，如何联立方程？ 图3―15图解法求直流工作点 (a)自偏压方式；(b)混合偏置方式 图解法 ———— 栅源回路直流负载线方程 1.对于自偏压方式 2.对于混合偏置方式 ———— 栅源回路直流负载线方程 3―4―2场效应管放大器分析 求解交流小信号等效电路与双极型晶体管类似。只是场效应管的输入电流为0，因此输出电流iD只受输入电压控制，不受输入电流控制。控制能力用跨导gm表示。 交流小信号等效电路： gmuGS rDS uDS + - G S D rDS是反映了器件的沟道调制效应。 gm的求法： ①对JFET和耗尽型MOS管， 则对应工作点Q的gm为： gm的求法： ②对增强型MOSFET， 则对应工作点Q的gm为： W/L↑→gm↑ 图3―16共源放大器电路及其低频小信号等效电路 (a)电路；(b)低频小信号等效电路 一、共源放大器 图3―16共源放大器电路及其低频小信号等效电路 (a)电路；(b)低频小信号等效电路 式中， ，且一般满足RD‖RLrds。所以，共源放大器的放大倍数Au为 若gm=5mA/V，则Au=50。 ① Au： 输入电阻： 输出电阻： 图3―9 uDS增大，沟道被局部夹断(预夹断)情况 i D 0 u D S U GS ＝ 6V 截止区 4 V 3 V 2 V 5 V 可 变 电 阻 区 ( a ) 恒 流 区 区 穿 击 图3―8输出特性 (1)截止区：uGS≤UGSth，导电沟道未形成，iD=0。 (2)恒流区 ·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。 ·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。 ·进入恒流区的条件，即预夹断条件为 即：|uGD| UGSth (b)厄尔利电压 u D S i D 0 U G S U A ( 厄 尔利电压 ) 沟道调制系数λ：厄尔利电压UA的倒数， 曲线越平坦→|UA|越大→λ越小。 考虑uDS对iD的微弱影响后恒流区的电流方程为： 但λ1，则 ： 可变电阻区： 3―2―3 N沟道耗尽型 MOSFET  (Depletion NMOSFET) 特点：在uGS=0时，就存在导电沟道（称原始导电沟道）。 只要uDS0就有iD电流，且uGS↑→iD↑； 当uGS减小为负值时，iD↓； 当uGS=UGSoff时，iD=0，管子进入截止状态。 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 ( c ) D G S B 式中： ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比 D G S D G S N 沟道 P 沟道 结型 FET 图3―11各种场效应管的符号对比 图3―11各种场效应管的符号对比 图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (a)转移特性；(b)输出特性 u D S i D 0 线性可变电阻区 0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 －1 －2 －3 －3 －4 －5 －6 －7 －8 －9 结型 P 沟 耗尽型 MOS P沟 －3 －4 －5 －6 0 －1 －2 0 1 2 3 －1 －2 －3 3 4 5 6 7 8 9 结型 N 沟 耗尽型 增强型 MOS N沟 U GS / V U GS / V 增强型 各种类型场效应管的工作区间小结： JFET UGSoff UGSoff N沟道 P沟道 uGS iD 截止区：GS结夹断。 可变电阻区：GS结未夹断，GD结未夹断 恒流区：GS结未夹断，GD结夹断 UGSoff UGSoff N沟道 P沟道 uGS iD 截止区：GS结夹断。 可变电阻区：GS结未夹断，GD结未夹