第三章 费米分布及玻耳兹曼分布.ppt

显然，费米能级由温度和杂质浓度决定。 由于一般掺杂浓度下， 费米能级在导带底以下。 (对硅和锗，NC：1018~1019/cm3) 可得费米能级表示式为： * ppt课件 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 （4）过渡温度区 此时，电中性条件变为： 半导体所处温度超过杂质饱和电离的温度区之后，本征激发不可忽略，随温度升高，因本征激发产生的载流子浓度迅速增加，ND与ni的数值可以相比拟，称这种情况为处于过渡温度区。 + + + + + + + - - - - - EF EV ED EC + + - - - - + - 过渡温度区 * ppt课件 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 解得过渡温度区的费米能级： 将 和 代入上式得到费米能级： 温度一定时，Ei 和 ni一定，EF可求。 * ppt课件 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 过渡区载流子浓度的计算： 联立方程： 解得： * ppt课件 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 可见电子浓度比空穴浓度大得多，这时半导体处于过渡区内靠 近饱和区的一边。室温下，硅两者的浓度可以差十几个数量级。 浓度大的称多数载流子，少的称少数载流子。 讨论： 不难解得： * ppt课件 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 电子浓度和空穴浓度大小相近，都近ni，这时半导体处于过渡区内靠近本征激发一边。 不难解得： * ppt课件 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 （4）高温本征激发区 温度继续升高，本征激发更为强烈，使半导体本征载流子浓度远多于杂质电离的载流子浓度， 即niND 时，称为杂质半导体进入了本征激发区。此时的电中性条件变为：n0＝p0，半导体与没有掺杂的本征半导体的情况基本相同。 + + + + + + + - - - - - EF EV ED EC + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 高温本征激发区 * ppt课件 3.4.4 p型半导体的载流子浓度 （1）低温度弱电离区： 只有一种受主杂质的p型半导体，在非简并条件下，同样可以从电中性条件出发推导相应的结果。 * ppt课件 3.4.4 p型半导体的载流子浓度 （2） 强电离(饱和电离)区： （3）过渡区： * ppt课件 3.4.4 p型半导体的载流子浓度 4)高温本征激发区 p型半导体进入到本征激发的温度区与n型半导体进入到本征激发的温度区相似，同样可以用处理本征半导体的方法来解决。 * ppt课件 3.4.5 多数载流子浓度与少数载流子浓度 多数载流子（多子） 一定温度下，在n型半导体导带中的电子占多数，而在p型半导体价带中的空穴占多数，这些载流子称为多数载流子(简称多子)。 少数载流子（少子） 在n型半导体价带中的空穴或p型半导体导带中的电子称为少数载流子（简称少子）。 在同种半导体中多子与少子浓度始终服从以下关系： * ppt课件 3.4.5 多数载流子浓度与少数载流子浓度 1) 在实际应用的半导体中，掺杂浓度远大于本征载流子浓度，即多子浓度远大于少子浓度，此时考虑半导体的导电能力，往往少子对导电的贡献可不计。 2) 就器件应用而言，半导体通常处于非平衡状态，此时非平衡少子的改变量远大于平衡时少子浓度，少子取重要作用。多数器件就是依靠少子注入而工作的。 3) 在过渡温度范围，少子和多子浓度可以比较接近，考虑半导体导电能力时，两种载流子对导电的贡献必须加以考虑。低掺杂半导体容易处于这种情况。 注意 * ppt课件 3.4.6 载流子浓度和费米能级与温度的关系 * ppt课件 3.4.6 载流子浓度和费米能级与温度的关系 * ppt课件 ? (1) 在低弱电离区: 利用: 不难证明： 3.4.6 载流子浓度和费米能级与温度的关系 * ppt课件 低温弱电离区费米能级与温度的变化关系 当T趋向于0k时，EF处于EC与ED能量间隔的中央处。 T增加，进入低温的弱电离区，EF很快增加到极大值(此时NC=0.11ND)。 T继续增加，EF又减少； 因此 3.4.6 载流子浓度和费米能级与温度的关系 * ppt课件 (2) 中间电离区: EF随温度的上升向本征费米能级方向移动。 温度继续升高，当2NCND后，费米能级降到(EC+ED)/2以下； 当温度升高使EF=ED时，施主杂质有三分之一电离(硅等)。 (3) 强电离区: 3.4.6 载流子浓度和费米能级与温度的关系 * ppt课件 (4) 在过渡温度区: 由于ni随温度的上升而增加,因此电子浓度也增加. 随温度升高减小 3.4.6 载流子浓度和费米能级与温度的关系 *