表面处理技术概论-气相沉积技术(ppt 96页).pptVIP

;气相沉积技术是通过气相材料或使材料气化后沉积于固体材料或制品(基片)表面并形成薄膜，从而使基片获得特殊表面性能的一种新技术。近40年来，气相沉积技术发展迅速，已在现代工业中得到广泛应用并展示了更为广阔的发展和应用前景。 ;目 录;5.1 物理气相沉积;5.1 物理气相沉积;物理气相沉积技术的主要特点如下 :;（5）多数沉积层是在低温等离子体条件下获得的，沉积层粒子被电离、激发成离子、高能中性原子，使得沉积层的组织致密，与基材具有很好的结合力，不易脱离； （6）沉积层薄，通过对沉积参数的控制，容易生长出单晶、多晶、非晶、多层、纳米层结构的功能薄膜； （7）由于物理气相沉积是在真空条件下进行的，没有有害废气排出，属于无空气污染技术； （8）物理气相沉积多是在辉光放电、弧光放电等低温等离子体条件下进行的，沉积层粒子的整体活性很大，容易与反应气体进行化合反应。可以在较低温度下获得各种功能薄膜，同时，基材选用范围很广，如可以是金属、陶瓷、玻璃或塑料等。 ;分类;5.1.1 真空蒸发沉积; 大量材料皆可以在真空中蒸发，最终在基片上凝结以形成薄膜。真空蒸发沉积过程由三个步骤组成： ①蒸发源材料由凝聚相转变成气相； ②在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运； ③蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜。 ;基片可以选用各种材料，根据所需的薄膜性质基片可以保持在某一温度下。当蒸发在真空中开始时，蒸发温度会降低很多，对于正常蒸发所使用的压强一般为1.33×10-3Pa，这一压强能确保大多数发射出的蒸发粒子具有直线运动轨迹。基片与蒸发源的距离一般保持在10～50cm之间。;真空蒸发沉积的设备一般由沉积膜室、抽真空系统、蒸发源、基材支架、基材加热系统和轰击电极以及蒸发电源、加热电源、轰击电源、进气系统等。;在真空中为了蒸发待沉积的材料，需要容器来支撑或盛装蒸发物，同时需要提供 蒸发热使蒸发物达到足够高的温度以产生所需的蒸气压。 通常所用的支撑材料为难 熔金属和氧化物。当选择某一特殊支撑材料时，一定要考虑蒸发物与支撑材料之间可能发生的合金化和化学反应等问题。支撑材料的形状则主要取决于蒸发物。 重要的蒸发方法有电阻加热蒸发、闪烁蒸发、电子束蒸发、激光熔融蒸发、弧光 蒸发、射频加热蒸发等。;技术名称;5.1.2 电阻蒸发沉积;常见电阻式加热器 ;电阻蒸发沉积的缺点：;5.1.3 电子束蒸发沉积;由于与盛装待蒸发材料的坩埚相接触的蒸发材料在整个蒸发沉积过程保持固体状态不变，这样就使待蒸发材料与坩埚发生反应的可能性减少到最低。直接采用电子束加热使水冷坩埚中的材料蒸发是电子束蒸发中常用的方法。 通过水冷，可以避免蒸发材料与坩埚壁的反应，由此即可制备高纯度的薄膜。通过电子束加热，任何材料都可以被蒸发，蒸发速率一般在每秒几分之一埃到每秒数微米之间。 ;电子束源形式多样，性能可靠，但电子束蒸发设备较为昂贵，且较为复杂。如果应用电阻加热技术能获得所需要的薄膜材料，一般则不使用电子束蒸发。 在需要制备高纯度的薄膜材料，同时又缺乏合适的盛装材料时，电子束蒸发方法具有重要的实际意义。;电子束加热装置 ;5.1.4 溅射沉积;溅射沉积和蒸发沉积在本质上是有区别的：蒸发沉积是由能量转换引起的，而溅射沉积 是有动量转换引起的，所以溅射的溅射出来的原子是有方向性的。利用这种想象来沉积物质制作薄膜的方法就是溅射沉积。;⑴ 辉光放电和溅射现象;辉光放电状态和不同位置处的电位 ;以下的几个溅射现象的特点可以用溅射率v来进行解释：;③对于单晶靶，v的大小随晶面的方向而变化。因此，被溅射的原子飞出的方向是不遵守余弦定律的，而是沿着晶体的最稠密的方向。 ④对于多晶靶，离子从斜的方向轰击表面时，v增大。由溅射飞出的原子方向多和离子的正相反方向相一致。 ⑤被溅射出来的原子具有的能量要比由真空蒸发飞出的原子所具有的能量（大约在0.1eV）大1~2个数量级。;⑵ 溅射原子、分子的形态;⑶ 溅射沉积装置;直流溅射又被称为阴极溅射或二级溅射。相对较低的气压条件下，阴极鞘层厚度较大，原子的电离过程多发生在距离靶材很远的地方，因而离子运动至靶材处的概率较小。同时，低压下电子的自由程较长，电子在阳极上消失的概率较大，而离子在阳极上溅射的同时发出二次电子的概率又由于气压较低而相对较小。这使得低压下的原子电离成为离子的概率很低，在低于1Pa的压力下甚至不易发生自发放电。这些均导致低压条件下溅射速率很低。;一般来讲，沉积速度与溅射功率（或溅射电流的平方）成正比、与靶材和衬底之间的间距成反比。; ;射频溅射适用于绝缘体、导体、半导体等任何一类靶材的溅射。 磁控溅射是通过施加磁场改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，进而提高电子对工作气体的电离效率和溅射沉积率。磁控溅射具有沉积温度低、沉积速率高两大特