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* 第二节 半导体二极管 第二节 半导体二极管 总目录 下页 电路基础实验测量过二极管的伏安特性知道，具有单向导电性，为什么？ 第二节 半导体二极管 PN结及其单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 稳压管 总目录 下页 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 1. PN结中载流子的运动 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 UD 又称耗尽层，即PN结。 最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡，PN结中总电流为零。 内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。 硅约为（0.6~0.8）V锗约为（0.2~0.3）V 一、PN结及其单向导电性 扩散 漂移 下页 上页 首页 P N 下页 上页 首页 提问： 图中电流 I=? 正向电流 外电场削弱了内电场有利于扩散运动，不利于漂移运动。 空间电荷区变窄 2. PN结的单向导电性 加正向电压 + - U - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - R E 耗尽层 内电场 Uho - U 外电场 I 称为正向接法或正向偏置（简称正偏）forward bias PN结处于正向导通(on)状态，正向等效电阻较小。 下页 上页 首页 P N + - U - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - R E 称为反向接法或反向偏置（简称反偏） 一定温度下， E 超过某一值后 I 饱和，称为反向饱和电流 IS 。 结论：PN结具有单向导电性：正向导通，反向截止。 内电场 外电场 UD + U 空间电荷区 外电场增强了内电场有利于漂移运动，不利于扩散运动。 反向电流非常小，PN结处于截止(cut-off)状态。 加反向电压 I 反向电流 IS 对温度十分敏感。 下页 上页 首页 动画 P N 二、二极管的伏安特性 阳极从P区引出，阴极从N区引出。 1. 二极管的类型 从材料分：硅二极管和锗二极管。 从管子的结构分： 对应N区 对应P区 点接触型二极管，工作电流小，可在高频下工作，适用于检波和小功率的整流电路。 面接触型二极管，工作电流大，只能在较低频率下工作，可用于整流。 开关型二极管，在数字电路中作为开关管。 二极管的符号 阳极 anode 阴极 cathode 下页 上页 首页 30 20 10 I/mA UD/V 0.5 1.0 1.5 20 10 2 4 -I/μА O 正向特性 死区电压 Is UBR 反向特性 + - UD I 2. 二极管的伏安特性 下页 上页 首页 动画 + - V R D I 正向偏置 + - V R D I 反向偏置 当正向电压超过死区电压后， 二极管导通, 电流与电压关系近似指数关系。 硅二极管为0.7V左右 锗二极管为0.2V左右 死区电压 正向特性 0.5 1.0 0.1 10 20 30 U/V I/mA O 二极管正向特性曲线 硅二极管为0.5V左右 锗二极管为0.1V左右 死区电压： 导通压降： 正向特性 下页 上页 首页 + - V R D I 正向偏置 反偏时，反向电流值很小， 反向电阻很大， 反向电压超过UBR则被击穿。 IS 反向特性 UBR 反向饱和电流 反向击穿电压 反向特性 2 4 -I/μA I/mA U/V 20 10 O 下页 上页 首页 + - V R D I 反向偏置 结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。 二极管方程： U0,若|U| UT则 I ≈ - IS 式中： IS为反向饱和电流 UT 是温度电压当量，又叫热电压 常温下UT近似为26mV。 若U UT 则 下页 上页 首页 三、二极管的主要参数 最大整流电流 IF 指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定。 最高反向工作电压 UR 工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿。为了留有余地，通常将击穿电压UBR的一半定为UR 。 下页 上页 首页 室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。 IR受温度的影响很大。 最高工作频率 fM fM值主要决定于结电容的大小。