第1章 电力电子器件.pptVIP

IGBT的结构如图2.7.1(a)所示。 简化等效电路如图2.7.1(b)所示。 电气符号如图1.7.1（c）所示 它是在VDMOS管结构的基础上再增加一个P+层，形成了一个大面积的P+N结J1，和其它结J2、J3一起构成了一个相当于由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR; IGBT有三个电极: 集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅极Ｇ; 图2.7.1 IGBT的结构、简化等 效电路 与电气符号 1. IGBT的结构 IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 图2.7.2 IGBT伏安特性 2.IGBT的工作原理 3、静态特性 1）输出特性 类似于mos管的是输出特性。VGE=0的曲线对应与IGBT处于断态。 在VCE0的反压作用下，类似于二极管的反向阻断特性。 UGEUGE(TH)(开启电压,一 般为3～6V) ；其输出电流Ic与 驱动电压UGE基本呈线性关 系； 图2.7.2 IGBT的伏安特 性和转移特性 IGBT关断： IGBT开通： UGEUGE(TH)； 2.4.2 缘栅双极型晶体管的特性与主要参数 2、IGBT的转移特性 类似功率集成电路的还有许多名称，但实际上各有侧重: 高压集成电路（High Voltage IC，简称HVIC，一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成）; 智能功率集成电路（Smart Power IC，简称SPIC，一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成）; 智能功率模块（Intelligent Power Module，简称IPM，专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT）。 2.7 功率模块与功率集成电路 附表2.1.1:主要电力半导体器件 的特性及其应用领域 器件种类 开关功能 器件特性概略 应用领域 电力 二极管 不可控 5kV/3kA—400Hz 各种整流装置 晶闸管 可控导通 6kV/6kA—400Hz 8kV/3.5kA—光控SCR 炼钢厂、轧钢机、直流输电、电解用整流器 可关断 晶闸管 自关断型 6kV/6kA—500Hz 工业逆变器、电力机车用逆变器、无功补偿器 MOSFET 600V/70A—100kHz 开关电源、小功率UPS、小功率逆变器 IGBT 1200V/1200A—20kHz 4.5kV/1.2kA—2kHz 各种整流/逆变器（UPS、变频器、家电）、电力机车用逆变器、中压变频器 习题 什么是电力电子技术？ 电力变换包括哪些内容？ 电力电子器件如何分类？ 说明晶闸管导通原理以及不能自关断的原因？ 分别说明电力场效应晶体管、IGBT各自主要参数有哪些？ 1.3.1 晶闸管 晶闸管(Thirsted)包括：普通晶闸管(SCR)、快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT) 、可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管等。 由于普通晶闸管面世早，应用极为广泛, 因此在无特别说明的情况下,本书所说的晶闸管都为普通晶闸管。 普通晶闸管：也称可控硅整流管(Silicon Controlled Rectifier), 简称SCR。 由于它电流容量大,电压耐量高以及开通的可控性已被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成为特大功率低频(200Hz以下)装置中的主要器件。 2.2.1 晶闸管及其工作原理 （1）外形封装形式:可分为小电流塑封式、小电流螺旋式、大电流螺旋式和大电流平板式(额定电流在200A以上), 分别由图2.3.1(a)、(b)、(c)、(d)所示。 （2）晶闸管有三个电极：它们是阳极A, 阴极K和门极(或称栅极)G, 它的电气符号如图2.3.1(e)所示。 晶闸管的结构： 图2.3.1 晶闸管的外型及符号 晶闸管是大功率器件, 工作时产生大量的热，因此必须安装散热器： 螺旋式晶闸管紧栓在铝制散热器上, 采用自然散热冷却方式, 如图2.3.2(a)所示。 平板式晶闸管由两个彼此绝缘的散热器紧夹在中间, 散热方式可以采用风冷或水冷, 以获得较好的散热效果