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第1章 电力电子技术概述 §1.1 电力半导体器件的发展史 §1.2 电力电子技术的发展 §1.3 电力电子技术的意义和作用 §1.4 电力电子技术的应用领域 §1.5 现代电力电子技术中的主要关键技术 重点和难点 电力电子器件的基本模型和分类 电力电子器件指标和特性 应用电力电子器件系统的组成 电力电子器件的驱动和保护类型及原理 §1.1 电力半导体器件的发展史 1. 半导体整流管的发展 2. 晶闸管及其派生器件的发展 3. 双极型晶体管（亦称功率晶体管，Grand Transistor -GTR） 4. 功率场效应管（MOSFET）的发展 5. 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的发展 6. 功率集成电路的发展 7. 智能化电力半导体功率模块IPM和PEBB 1. 半导体整流管的发展 20世纪50年代初期 半导体整流管（ SR ）因其正向通态压降（1V左右）远比汞弧整流器（10～20V）小而开始取代汞弧整流器，由此大大提高了整流电路的效率。通常应用于400Hz以下的不可控整流电路。人们开发出快恢复整流管和肖特基整流管应用于中频（10kHz以下）和高频（10kHz以上）整流的场合。 20世纪80年代中后期 为了进一步减少低压高频开关电源中电力电子器件的损耗，同步整流管也应运而生。 2. 晶闸管及其派生器件的发展 2. 晶闸管及其派生器件的发展 1957年美国通用电气公司（GE）发明了普通（400Hz以下）的反向阻断型可控硅（Sillicon Controlled Rectifier——SCR），以后称晶闸管（Thyristor）。随后，世界各国相继开发出一系列晶闸管的派生器件，如图4所示 。 缺点：晶闸管其工作频率又比较低，致使PWM脉冲宽度调制（Pulse-width Modulation）技术难以很好地实施。通常由其构成的装置应用电路复杂，而且存在严重的“电力公害”问题。 3. 双极型晶体管（亦称功率晶体管，GTR) 1948年美国贝尔实验室发明GTR。到20世纪80、90年代，GTR已被广泛应用于100kW等级功率的电路中。 在20世纪80年代和90年代初，晶体管曾被广泛地应用于中小功率电机变频调速、不间断电源（UPS)等等工业领域。 优点： 功率晶体管的工作频率可达到10～20kHz。PWM技术在晶体管变换电路中得到了广泛的应用，促成了“20kHz革命”，使得直流线性电源迅速被20kHz开关电源所取代。功率晶体管的抗干扰性能却明显高于目前广泛应用的MOSFET管和IGBT管。 缺点：因为功率晶体管存在着二次击穿、不易并联以及开关频率偏低等问题，它的应用范围受到了限制。 4 功率场效应管（MOSFET）的发展 20世纪70年代后期，Power MOSFET开始进入实用阶段；进入80年代，在降低器件的导通电阻、消除寄生效应、扩大电压和电流容量以及驱动电路集成化等方面进行了大量的研究，取得了很大的进展。 优点：功率场效应管中应用最广的是电流垂直流动结构的器件（VDMOS）。具有工作频率高、开关损耗小、安全工作区宽、输入阻抗高、易并联等优点。目前广泛应用于DC/DC模块电源、高频开关电源、计算机电源、航空电源、小功率UPS以及小功率（单相）变频器等领域。 发展趋势：① 更高频率推向吉赫兹；② 低电压产品的超低导通电阻；③ 在兆赫兹水平突破并达到1200V的电压上限。 5 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的发展 20年前电力电子器件较为引人注目的成就之一就是开发出双极型复合器件。 1983年美国GE公司发明的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），IGBT实现了器件高压、大电流参数同其动态参数之间合理的折中，因而兼有MOS器件和双极型器件的突出优点，目前IGBT容量可达4500V/1200A，3300V/1500A。 第四代IGBT（采用非穿通（NPT）结构—即NPT-IGBT），NPT-IGBT器件具有导通压降的正温度系数，解决了器件并联自动均流的难题。“串并联”封装在一个管壳里的结构是IGBT走向高压、大电流及大功率化的必由之路。 IGBT正成为高电压、大电流应用领域中GTO和IGCT的潜在竞争者。美国IR公司开发了WAPP系列，美国APT公司开发了GT系列“霹雳（Thunderbolt）型”IGBT。目前其硬开关工作频率已高达150kHz，而软开关工作频率可达300kHz，且IGBT的电流密度是相同电压等级的功率MOSFET管的2.5倍。这种IGBT器件体积小，成本低，所以正在成为高频开关电源中广泛使用的MOSFET管强有力的竞争者。 另外，逆导型IGBT和双向型IGBT也正在研制中, 总之，10年前IGBT出现在世界技术舞台的时候，尽管它表现出很好的综合