低噪声放大器.pptVIP

1 基于ADS的低噪声放大器设计 汇报人：杨辉 指导老师：施阳 时间：2012年5月 研究概述 背景意义 低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中一个非常重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时抑制噪声干扰，提高系统灵敏度。如果在接收系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由此可见低噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。 研究概述 任务与目标 本次毕业设计的主要要求是熟悉理解低噪声放大器的工作原理，并熟练运用ADS2006仿真软件进行低噪声放大器的仿真设计。本次设计的是工作频率在2.4-2.5G ISM频段, 噪声系数NF0.7，增益Gain15，VSWRin1.5，VSWRout1.5的低噪声放大器，并对设计的模型进行优化。 研究综述 低噪声放大器的设计 本次采用的是安捷特公司的高电子迁移率晶体管（PHEMT）ATF54143芯片进行低噪声放大器的设计。 本次设计的主要步骤主要有 （1）直流分析； （2）偏置电路分析； （3）稳定性分析； （4）噪声系数圆和输入匹配； （5）最大增益的输出匹配； （6）匹配网络的实现。 研究综述 直流分析 设计LNA的第一步是确定晶体管的直流工作点。 研究综述 直流分析 仿真结果如下图所示： 研究综述 直流分析 从ATF54143的数据手册上可以看到噪声和Vds和Ids的关系，从而确定晶体管工作点。在2GHz时，当Vds=3V且Ids=20mA时，Fmin接近最小值。此时，增益大约为16.3dB，能满足设计要求，那么晶体管直流工作点就设为Vds=3V ， Ids=20mA 。 研究综述 偏置电路分析 创建新的原理图，在原理图中放入ATF54143的模型和“DA_FETBias”控件。 研究综述 偏置电路分析 添加各种元器件和控件，完成偏置电路。 研究综述 稳定性分析 加入理想直流扼流和射频扼流并设置相应参数的原理图 。 研究综述 稳定性分析 从仿真图看出，在2.45GHz时，最大增益为19.812dB，稳定性系数为K=0.895，小于1。从晶体管放大器理论可知，只有绝对稳定系数K1，放大器电路才会稳定，这里K1，不稳定。 研究综述 稳定性分析 为了使系统稳定加入负反馈 。 研究综述 稳定性分析 反复调节反馈电感，使其在整个工作频率范围内稳定。X最终定为0.45nH。整个电路在低频部分不稳定，并且低频部分增益还很高，解决此问题的方法是在电路中串联或并联小电阻。 研究综述 稳定性分析 接下来，把理想DC_Feed元器件改为实际器件，选用MuRata（日本村田公司）的电容和电感。 研究综述 稳定性分析 从下图可以看出，电路在低频部分已经稳定了。下面需要把晶体管源极的两个电感换成微带线的形式。一方面是因为这两个电感值太小，实际的电感很难做到；另一方面是因为从调节这两个电感值就可以发现，这两个电感值稍微改变，就会对整个电路稳定性产生很大影响。 研究综述 稳定性分析 下图中，晶体管源极微带线宽为0.5mm，其特征阻抗为87.0502Ohm，最后算出的长度为0.739mm。再把晶体管两端“DC_block”理想元器件换成真实器件，仍然选用MuRata电容，两个隔直电容都选用“GRM18”系列，电容值为22PF。 研究综述 稳定性分析 从图中可以看出，全部换成真实器件后稳定系数和增益依然很好。 研究综述 噪声系数圆和输入匹配 从图中看出，在2.350GHz时的最小噪声系数为0.485dB。接下来就要设计一个适当得输入匹配网络来实现最小噪声系数。 研究综述 噪声系数圆和输入匹配 在图中，m2是LNA有最大增益时的输入端阻抗，此时可获得增益约为16.49dB；m4为LNA有最小噪声系数时的输入端阻抗，此时可获得最小噪声指数为0.49dB。 研究综述 噪声系数圆和输入匹配 对于低噪声放大器，尤其是第一级放大器，首先考虑的是最小噪声，所以这里优先考虑噪声，那么最优的输入端阻抗就定为m4点的阻抗。其中定为50Ohm，则输入端阻抗就为25.7-j*14.1Ohm。这时，可以看出m4处的增益大约比m3点略小（m3处增益为15.98dB）。为了达到最小噪声系数，在晶体管的输入端需要满足最佳源反射系数的要求，而整个电路的输入阻抗，所以需要输入匹配网络把（为m4处阻抗的共轭，即25.7+j*14.1）变换到输入阻抗50Ohm。如图所示为输入匹配框图。 研究综述 噪声系数圆和输入匹配 通过添加Smith圆图匹配工具DA_SmithC