第二章 电力电子器件3.pdfVIP

电 力 电 子 技 术 Power Electronic Technology 合肥工业大学电气与自动化工程学院 2.5 门极可关断晶闸管 2.5 门极可关断晶闸管 （GTO ） • GTO的基本结构和工作原理 • GTO的动态特性 • GTO的主要参数 • GTO的驱动 • GTO的应用特点 2.5 门极可关断晶闸管 （GTO） Ø 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor — GTO ） Ÿ 晶闸管的一种派生器件，在晶闸管问世后不久出现 Ÿ 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 Ÿ GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而 在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 2.5.1 GTO的基本结构和工作原理 Ø 结构： • 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引 出阳极、阴极和门极 • 和普通晶闸管的不同：GTO是 一种多元的功率集成器件，内 部包含数十个甚至数百个共阳 极的小GTO元，这些GTO元的阴 极和门极则在器件内部并联在 一起 2.5.1 GTO的基本结构和工作原理 Ø工作原理： • 与普通晶闸管一样： • 1）可以用下图所示的双晶体管模型来分析 • 2） + =1是器件临界导通的条件。当 + 1时，两个等 1 2 1 2 效晶体管过饱和而使器件导通；当 + 1时，不能维持饱 1 2 和导通而关断 2.5.1 GTO的基本结构和工作原理 ØGTO能够通过门极关断的原因是其与 普通晶闸管有如下区别： 1）设  较大，使晶体管V控制灵敏，易 2 2 于GTO关断 2）导通时 + 更接近1 （1.05，普通晶 1 2 闸管 + 1.15）导通时饱和不深，接近 1 2 临界饱和，有利门极控制关断，但导通时 管压降增大 3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小， 门、阴极间距大为缩短，使得P基区横向 2 电阻很小，能从门极抽出较大电流 2.5.1 GTO的基本结构和工作原理 Ø 导通过程:与普通晶闸管一样，只是导 通时饱和程度较浅 Ø 关断过程： Ø 强烈正反馈— 门极加负脉冲即从门极抽 出电流，则I 减小，使I和I 减小，I b2 K c2 c2 的减小又使I和I 减小，又进一步减小 A c1 V 的基极电流 2 Ÿ 当I和I的减小使 + 1时，器件退出 A K 1 2 饱和而关断 Ÿ 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开