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半导体—金属接触特性测试技术;（1）功函数
（2）半导体亲和势（能）
（3）欧姆接触与肖特基接触
（4）肖特基接触势垒;（1）功函数
;紫外光电子能谱（UPS）;紫外光电子能谱（UPS）;紫外光电子能谱（UPS）;开尔文探针法（Kelvin probe force microscopy-KPFM）;开尔文探针法（Kelvin probe force microscopy-KPFM）;半导体亲和势;半导体亲和势;欧姆接触与肖特基接触
; Pockels效应是一种一次电光效应，指的是：平面偏振光沿着处在外电场内的压电晶体的光轴传播时发生双折射现象，且两个主折射率之差与外电场强度成正比。;Pockels效应测试
;Au/CZT/Au;Pt/CdT/Pt
600V;（4）肖特基接触势垒
;（4）肖特基接触势垒
;C-V 法;?;?;在I-V测试中，电流依赖于界面结构，接触的横向不均匀性使整流特性变差，而且电流中还包含热电子发射以外的电流，这些都导致计算出来的结果与实际偏差很大。
在C-V方法中???电容对于空间电荷区内的势垒涨落不敏感，会屏蔽空间电荷区的边界，并且此方法是在整个接触面上计算势垒高度的，而通过界面的电流与势垒高度成指数关系，因此它对界面处的势垒分布非常敏感。对于能带弯曲不均匀的界面以及空间电荷，不同方法计算出来的势垒高度是不同的。
;（4）肖特基接触势垒
;以CdZnTe晶体为例，利用同步辐射光电子能谱分别测量清洁的CdZnTe晶片和蒸Au后的晶体表面内层Cd 4d 芯能级和价带结构;谢谢！
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