半导体异质结中二维电子气与调制掺杂器件(2).pptVIP

应用: 1. 1990年起, 国际电阻标准为: 精度 2. 精细结构常数 精度 5.5 二维电子气低温磁输运测量研究 实验 3. 磁电阻测量用范德堡和标准法进行，测量温度在1.4 K到25 K之间，磁场从0 T到13 T。 1. 用MOCVD方法制备了AlGaN/GaN异质结。 2. 欧姆接触：Au/Ni/Al/Ti，电子束蒸发，在高纯N2气氛下快速热退火。 子带占据情况： 上式中的余弦项反映子带底穿越费米能级引起的周期变化 是温度相关项， 其中，R0是零场电阻， 有两个子带被2DEG占据： cm-2 cm-2 式中，A=x／sinhx即每一子带SdH振荡在某一磁感应强度B 下的振幅，m 是该子带电子的有效质量 由此得到第一子带电子的有效质量 m1*=0.052m。． 对第二子带做相同的处理，得 m2*=0.049m。 双子带占据的In0.52AlGa0.48As／In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应 APPLIED PHYSICS LETTERS 88: 172115, 2006 Effective mass m* (B = 0) plotted as a function of the 2DEG density n in AlxGa1-xN/GaN heterostructures. The line is a linear fit. Dependence of measured effective mass m* in three AlxGa1-xN/GaN heterostructures on magnetic field B. 利用 SdH 振荡曲线可以求得电子的量子散射时间tq APPLIED PHYSICS LETTERS 84: 1425-1426, 2004 明显有两种频率的振荡 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94: 5420, 2003 2DEG的MIS效应 25K： 只有一种频率的振荡 14K： 振荡有明显的调制现象 Rxx随磁场B的振荡的高频部分 1.5K：以一种频率的振荡为主，振幅有微弱的调制 14K：振幅调制最为明显 25K：振幅调制消失 1.5K和25K是两种不同频率的振荡 分析：高频部分有两个频率接近的振荡，两者的振幅对温度的依赖关系不同，14K时振幅相当，调制最强。 T T T MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小 2. SdH效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升快速减小 5.3.3 二维电子气的散射机构 + – V’ V’ 电离杂质散射示意图 v v 电离 施主 散射 电离 受主 散射 (a) 电离杂质散射 (b)晶格振动散射 A B Ec Ev 导带 禁带 价带 Eg 晶格振动扰乱了晶体势场的周期性，产生了附加势。附加场和电子的相互作用使电子由某一个本征态跃迁到另一个本征态而形成了散射。晶格振动散射就是电子和声子的相互作用。 如果构成异质结的两种材料的介电常数、态密度和晶格常数相近，声子不受层状结构的影响，仍可看成是三维的。 interface roughness interface imperfections and roughness represents deviation from the perfect crystal and can therefore create scattering. Due to crystal matching, in GaAs=AlGaAs heterostructures this type of scattering is usually very small, unlike the case of the Si ?MOSFET. 异质结面几何上的不平整也相当于有一个起伏的势场使界面二维电子气发生散射。界面粗糙度可用两个参数来表征：一个是界面上起伏的高度差Δ，另一个是沿界面方向起伏的平均周期Λ。 (c)界面粗糙度散射 (d) 合金无序散射 虽然理想情况下 2DEG 波函数在界面处消失了，但是由于半导体异质结构垒层并不是无限高，所以电子波函数可透入到 AlxGa1-xAs势垒层，由于 Al 和 GaAs 在三元合金中的无序分布，AlxGa1-xAs 势垒层的周期性势场将受到干扰，它对电子的散射成为合金无序散射。 面电子密度增加，电子波函数更靠 近界面，渗透到 AlxGa1-xN 势垒层中的部分也就增加，散射加强。同理，