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第一部分：交流输入 ??输入保险、开关、低匝数的共模电感（电感高频性能好），Y电容接PE地，用接地的导体将其屏蔽。 ??应该注意到热敏电阻和压敏Y电容都有套管覆盖，安规比较注意。 ??输入差模电感采用了铁硅铝磁环，并使用了直径1.25mm的线，铁硅铝磁环的耗损比传统使黄白铁粉芯少了很多。 ? PCB走线上，都经过了两个X电容，其中一个大电容和一个小电容共0.9uF，能较好的提高了差模LC滤波器的截止频率，提升了滤波效果。 ??共模电感使用了体积非常大的高磁导率铁氧体磁环其直径为T29*19*14//AL8700，采用直径1.25mm的线绕，电感量为10mH，并且要注意到，只在磁环表面只有绕了一层，第二层绕的很分散，这样主要是为了降低绕组之间的寄生电容，提高电感的截止频率。另外在共模电感前面，马上接Y电容，形成LC滤波器，提升共模抑制效果。 ??整流桥用了2个并联，并且是共用一个散热片，这样使两个二极管的热耦合，均流效果好一点。 ??第二部分：PFC（计算表） ? PFC部分的电感，电感量为360uH采用两股0.85mm线并饶，采用铁硅铝磁环，其体积为：40mm*20mm。PFC部分使用两个MOSFET并联（型号： 6R125P），使用一个二极管输出（型号：ROHE SCS108AG），电容为430V/390uF两个。PFC高压母线通过Y电容连接到次级输出地。 ? PFC的控制芯片是NCP1654//65KHZ，是8脚平均电流控制器。其驱动输出电流达到1.5A，能很好的驱动较大功率的MOSFET。下面是NCP1654的典型应用。 这个IC的功能有： 输出过压保护、反馈开环保护（通过关闭驱动实现）、输入欠压好过压保护（BO引脚还集成AC波形检测）、内置软启动、过流保护、过功率限制。 1 脚GND 2脚 AC波形和误差放大器的信号的乘法器输出，为电流信号。通过VM引脚的电容和电阻转为电压形式，用于产生跟随AC波形的PWM信号。 3脚 电流检测，IC内部有电流源，通过CS外接的电阻检测，整流桥端的电压，来实现电流控制，该引脚有电流限制和过功率保护功能。 4 脚 BO AC波形输入和欠压过压保护功能。 5 脚 反馈的误差放大器补偿部分 6脚 输出电压检测 7 脚 VCC 工作电压9-20V。 8 脚 DRV 峰值1.5A电流输出，驱动能力较为强大。 该PFC控制IC的特点：内置有欠压过压保护、FB引脚集成输出过压保护、CS引脚集成电流限制和过功率保护、平均电流模式控制。 PFC部分效率测试和分析： 在不通电（未加直流偏置）测试PFC电感（铁硅铝材质），电感量为360uH。经计算在满载860瓦和低压90V输入时，在电流的直流偏置作用下，电感量会下降55-60%。因此可以得出该PFC电感的满载电感量为210uH，经计算取电感纹波电流为44% * 电感电流三角波的平均值。在这个比例下，可以在90V输入下得到210uH的电感量。由于他们采用的是外径40mm、厚度20mm的磁环，我找了美磁铁硅铝的产品手册，最为接近的是77083，外径40mm厚度15mm，磁导率为60，电感系数AL为81。 计算满载所需要的电感量和考虑直流偏置下的电感量下降，可以得到75匝（使用77083-A7磁环）能符合210uH的要求。由于铁硅铝的磁环在高频和高磁通摆幅下磁芯耗损较大，考虑是否需要通过加大匝数降低磁芯的dB变化，来降低磁芯损耗。 我没有数他们的磁环上的匝数，但是可以看到匝数并不少。他们的磁环采用铜线是外径0.9，实际铜线可能在0.85mm。我用电流密度5A/mm^2，计算满足低压满载的电流至少需要2股1mm的铜线，但考虑PC电源的大风扇，所以他们的电流密度选的大一些，这样降低了一些铜线消耗，加大了铜线DC损耗。 经计算在满载和低压下铜线DC耗损为0.8W，磁环耗损为3W，磁芯耗损计算公式来于美磁的产品手册。所以用75匝，磁芯耗损还是较大，如果有条件应该进一步的加大铜线匝数，降低磁芯的dB值，这样才能降低在低压满载时的磁芯损耗，提升效率。 如果PFC电感的交流损耗比较小的话，可以忽略绕组的交流损耗。但是实际上还是需要注意的，由于是采用低磁导率的磁环，所以电感内部没有直接开气隙，在气隙周围带来的损耗也可以避免，这也是为什么要选择磁环的原因。 考虑在230V输入下的PFC损耗： 首先PFC电感的占空比和电流大大降低，MOSFET流过的电流也会降低。相比低压，高压情况下MOSFET的导通耗损下降非常多，输出电容上的耗损接近一致。该样机采用了2个COOLMOS并联，在这样的配置下，导通耗损被降低到了非常低的地步。 PFC输出二极管，在高压下二极管导通时间加大。加大了二极管的导通耗损。但是在二极管上的恢复电荷的耗损是不可避免的，在选择整