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半导体存储器和可编程逻辑器件 A A A 8-3可编程逻辑器件（PLD） 8.3.1 PLD的电路表示法 互补输入缓冲器 三态输出缓冲器 硬线连接单元 被编程连接单元 被编程删除单元 1. PLD的基本结构和连接方式 与阵列 或阵列 2. 基本门电路的PLD表示法 与门的PLD表示法 或门的PLD表示法 与门的默认状态为连接状态，在下图中，与门的输出为0。 3. PROM电路的PLD表示法 PROM实质上是可编程逻辑器件，相当于包含一个固定的与门阵列（就是全译码的地址译码器—n线--n2线译码器）和一个可编程或门阵列。其中地址译码器的地址端作为输入端，数据输出端作为逻辑输出端。 与阵列 或阵列 A0 A1 L0 L1 L0 L1 2位地址线—4位数据线PROM的PLD表示法 A0 A1 A2 A3 D0 D1 D2 D3 4位地址线—4位数据线PROM的PLD表示法 A0 A1 A2 A3 O0 O1 O2 O3 8.3.2 可编程阵列逻辑器件（PAL）简介 1. PAL的基本结构 ①编程前的内部结构 固定的或阵列 采用熔丝编程的与阵列 A0 A1 A2 A3 O0 O1 O2 O3 ②编程后的内部结构 A B C L2 L1 L0 L3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 19 18 17 16 15 14 13 12 11 0 3 4 7 8 11 12 15 16 19 20 23 24 27 31 28 0 3 4 7 8 11 12 15 16 19 20 23 24 27 31 28 2. PAL16L8 （具有20个引脚，20号电源端和10号接地端未画出） * * 半导体存储器 一、概述 半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的大规模集成电路，是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。 半导体存储器 ROM EPROM 快闪存储器 PROM E2PROM 固定ROM（又称掩膜ROM） 可编程ROM RAM SRAM DRAM 按存取方式来分： 半导体存储器 按制造工艺来分： 半导体存储器 双极型 MOS型 对存储器的操作通常分为两类： 写——即把信息存入存储器的过程。 读——即从存储器中取出信息的过程。 两个重要技术指标： 存储容量—存储器能存放二值信息的多少。单位是位或比特（bit）。1K=210=1024，1M=210K=220。 存储时间—存储器读出（或写入）数据的时间。一般用读（或写）周期来表示。 读写存储器又称随机存储器。 读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。 RAM 按功能可分为 静态、动态两类； RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。 8.1 随机存取存储器(RAM) 8.1.1 RAM的电路结构与工作原理 1. RAM存储单元 六管静态存储单元 （行选择线） （列选择线） 存储单元 位 线 B 位 线 B Xi Yi T5 T3 T1 T6 T4 T2 VDD VGG D D T7 T8 （数据线I/O） （数据线I/O） ＆ ＆ ≥1 Xi Yi DI Do R/W G1 G2 G3 T2 T1 T3 T4 T5 C R VCC （行选择线） （列选择线） （读写控制端） 写入刷新控制电路 存储单元 “读” 位 线 “写” 位 线 （数据输入） （数据输出） 三管动态存储单元 2、RAM 的结构 存储矩阵 … 读/写 控制器 地 址 译 码 器 … 地 址 码 输入 片选 读/写控制 输入/输出 CS R / W I / O 列地址译码器 行地址译码器 A4 A3 A2 A1 A0 A5 A6 A7 X0 X1 X31 Y0 Y1 Y7 256(字)×4(位)RAM存储矩阵 字单元 256×4=1024=210 =1K个基本存储单元 8列 32行 基本单元 （1） 存储矩阵 （2）地址译码 一元地址译码 … … … D3D2D1D0 W0 W1 W256 译 码 器 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 A0 A1 A7 1 0 . . . 0 W1 1 0 1 0 8线 — 256线 缺点: n 位地址输入的译码器,需要 2n 条输出线。 1 0 1 0 二元地址译码 Y0Y1 Y15 … A0 A1 A2 A3 X0 X1 X15 行 译 码 器 A4 A5 A6 A7 … 列译码器 Dout 4线 —16线 1 0 . . . 0 1 0 … 0 8