zno基稀磁半导体的制备与性质研究凝聚态物理专业论文.docxVIP

，，、}，k．、．，．、，jltq盘囊．t ，，、}，k．、．，．、 ，jltq盘囊．t ～ ZnO基稀磁半导体的制备与性质研究 ■，“ ．．i～．r ，#-l墓￡》t《。l§罨薏秀、1 重庆大学博士学位论文 学生姓名：夏川茴 指导教 师： 胡陈果教授 l}#I， 专 业：凝聚态物理 学科门类：理学 重庆大学数理学院 二O—o年四月 。喙_谚最F弘 山，“滋黼 、 、 { ； j } ! eticA etic A Thesis Submitted to Chongqing University in Partial Fulfillment of the Requirement for the Degree of Doctor of Science By Xia Chuanhui Supervised by Prof．Hu Chenguo Maj or：Condenced Matter Physics College of Mathematics and Physics of Chongqing University,Chongqing，China April，2010 导致了一门新的学 导致了一门新的学 的电荷属性和自旋 为自旋电子学的重 为广泛的是过渡族 金属掺杂的ZnO所制成的DMS。尽管理论和实验上已经取得了可喜的结果，但是 到目前为止，虽然人们对磁性半导体的微结构、磁性、电子输运、磁电阻、光学、 磁光等性质都作了一些研究，然而来自不同研究小组的结果很不一致，甚至互相 矛盾。其中氧化物磁性半导体的磁性起源是争论的焦点。研究者认为磁性可能来 源于载流子诱导的交换作用、双交换作用等内禀的机制，也有可能是由于过渡元 素在半导体中的溶解渡偏低而形成的铁磁性杂质相而引起的。因此还有许多问题 有待于更进一步的研究。本文主要在ZnO基DMS方面开展了一些研究工作。 ①利用溶液腐蚀法制备了Mn2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺 杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构，没有任何杂质相产生。XPS表明Mn离 子以+2价的形式存在于样品中。从紫外．可见光反射谱中，我们发现吸收边发生了 红移。掺杂后样品的室温PL谱除了紫外发射峰外，在蓝光区域还出现了两个新的 位于424nm和443nm的发射峰。室温磁滞回线显示样品有明显的铁磁性，剩余磁 化强度为0．3902x10。3 emu／cm3，矫顽力为470e。我们分析室温铁磁性来源于缺陷 调制的Mn2+．Mn2+长程铁磁交换相互作用。 ②利用溶液腐蚀法制备了不同浓度的Ni2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。通 过改变反应时间控制掺入的Ni2+离子的浓度。XRD发现，随着掺杂浓度的增大， 样品中出现了NiO杂质相，证实了Ni在ZnO中的溶解度低于5％。XPS证明Ni 离子以Ni2+的形式掺入ZnO的晶格。室温下的PL谱的紫外发射峰随着掺杂量的 增加，峰强减弱，并出现了红移。当样品中掺入过多的Ni后，由于Ni离子会与 ZnO中的部分氧离子形成NiO杂质，相应在ZnO中会出现氧空位，因此在该样品 中还观察到了由于氧空位引起的绿光发射峰。不同浓度的样品都观察到了室温铁 磁性，对应Ni的浓度分别为2．38，4．35和5．54 at％，剩余磁化强度分别为0．454， 0．605和0．526emu／cm3。 ③用溶液腐蚀法制备了Fe掺杂的ZnO纳米棒阵列。通过调节反应时间控制 掺入Fe元素的含量。XRD测试发现随着掺入的Fe增多，有ZnFe204杂质产生。 XPS分析发现样品中Fe都以接近+3价存在。研究了掺杂对样品光学性质的影响， 重庆大学博士学位论文室温PL谱发现掺杂后紫外发射峰出现了红移，并且随着掺杂量的增多峰强在减弱。 重庆大学博士学位论文 室温PL谱发现掺杂后紫外发射峰出现了红移，并且随着掺杂量的增多峰强在减弱。 掺杂后由于有锌间隙缺陷的形成，三个样品都在蓝光区域产生了发射峰。同时对 于有Zn_Fe204杂质产生的样品在绿光区域出现了一个发射峰。对样品进行了磁性的 研究，掺杂前的ZnO在室温下表现出顺磁性，掺杂后，M．H曲线表现出明显的磁 滞行为，证明Fe的掺杂使ZnO具有了室温铁磁性。三个样品的剩余磁化强度分别 为0．372，0．613和0．557 emu／cm3，矫顽力分别为99．33，117．3和24．4 Oe。 ④由于Cu是非磁性离子，因此研究Cu离子掺杂是否引起铁磁性可以用来证 明DMS中的铁磁性是否是材料本征的关键。因此，我们用溶液腐蚀法制备了Cu 掺杂的ZnO。研究了掺杂对样品光学性质的影响，室温PL谱测试发现掺杂后紫外 发射峰出现了红移。同时，Cu离子进入ZnO晶格引入了如锌间隙以及氧空位等缺 陷造成PL谱在蓝光区域和绿光区域出现了发射峰。对样品进行了磁性的研