半导体物理 北京化工大学期末考试试卷.pptxVIP

《半导体物理》2013-2014学年第一学期期末考试试卷;一．填空 （30分） 1．T0K时，电子占据费米能级的概率是 。 2．浅能级杂质在半导体中起 或者起 的作用；深能级杂质在半导体中起到 或者 的作用。 3．对于能带极值在k=0，等能面为球面的情况，则导带底附近能量E(k)与波矢k的关系为 ，导带底附近状态密度为 。 ;4．如果价带中的电子满足玻耳兹曼分布，则价带中的空穴浓度表达式为 ，室温时，半导体Si中掺入Al，掺杂浓度为NA，Al已基本全部电离。在此条件下，该半导体的费米能级为 。 5．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 ，其种类为： 、 和 ?? 6．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 运动。 ;二．简答题（40分） 1.用能带理论解释金属、半导体和绝缘体的导电性。 （10分）;电离杂质散射:;3.画出零偏、正偏和反偏情况下，p-n结能带图，并简述p-n结势垒区形成的物理过程。（20分）;三． 计算题 （30分） 1.受主浓度NA=1017cm-3的p型锗，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al，Au，Pt，Mo接触时，形成阻挡层还是反阻挡层？锗的电子亲和能取4.13 eV。（15分） ;2. 掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子?n=?p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。（15分）