镓铟稀土共掺yag荧光粉的上转换性能研究材料物理与化学专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 分类号： 分类号： 学校代号：i1845 UDC： 密级： 学 号：2111215016 广东工业大学硕士学位论文 (工学硕士) 镓铟稀土共掺YAG荧光粉的上转换性能研究 梁韵玲 指导教师姓名、职称： 韭佳 副教援 学科(专业)或领域名称：挝料物理量化堂 学生所属学院： 物理生光电工程堂随 论文答辩日期： 2Q!墨生墨目曼Q日 万方数据 A A Dissertation Submitted to Guangdong University of Technology for the Degree of Master (Master of Engineering Science) Upconversion properties of Gallium·-Indium and rare earth CO·-doped YAG phosphor Candidate：Yunling Liang Supervisor：Associate Professor Wei Zhang School of Physics and Optoelectronic Engineering Guangdong University of Technology Guangzhou，Guangdong，P_R．China，510006 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 近年来，稀土掺杂的上转换发光荧光粉由于其在光电子学、生物光子等领域的应 用而获得了越来越多的关注。钇铝石榴石(YAG)是综合性能较好的材料，具有稳定 的物理和化学性能，以YAG为基质材料的稀土掺杂发光材料也备受关注。 本文以YAG作基质材料，采用化学共沉淀法在1000。C的温度下煅烧制备镓铟取代 稀土掺杂的YAG系列荧光粉，并详细地研究了荧光粉的合成机理、发光性能和发光机 理等内容。 (1)首先合成了镓取代的YAGG：Ce3+荧光粉，可以观察到镓离子的掺杂没有引起 YAG晶相发生变化。荧光粉的激发波长和发射波长分别位于450nm和527nm处，且 镓离子的最佳掺杂浓度为15％。随着镓离子掺入量的增加，样品会发生浓度猝灭现象， 结晶度和发光强度都有所降低。当Ga3+取代基质中的Ap+离子后，荧光粉发射光谱发 生蓝移现象。 (2)基于上转换材料合成镓铟取代的Er3+／Yb3+：YAG上转换荧光粉，可以看到镓 铟离子的掺杂没有引起YAG晶相发生变化。在980nm激光激发下，荧光粉的绿光和 红光的发射波长分别位于543nm和662nm处。Ga和In取代Al导致蓝移发射，且发光 强度随铟的掺杂浓度而增强。从荧光寿命图中发现Ga3+、In3+的掺杂对样品中Yb3+和 Er3+之间的能量传递产生了影响。 (3)通过镓铟取代的H03丫泊3+：YAG上转换荧光粉的合成，同样也观察到镓铟离 子的掺杂没有引起YAG晶相发生变化。在980mn激光激发下，荧光粉的绿光和红光 的发射波长分别位于549nm和659nm处。随着Ga3+掺入量的增大，样品发射峰的形状 没有发生变化；而相对发光强度先增强后减弱，且当Ga3+的掺杂浓度达到15％时达到 最佳。 (4)在合成镓铟共同取代的Tm3+厂Yrb3+：YAG上转换荧光粉的实验中，可以明显观 察到荧光粉都是纯YAG相，镓铟离子的掺杂没有引起YAG晶相发生变化。在980nm 激光激发下，荧光粉的蓝光和红光发射波长分别位于475nm和650nm处。随着In3+掺 入量的增大，样品发射峰的形状没有发生变化；而相对发光强度先增强后减弱，且当 In3+的掺杂浓度达到15％时达到最佳。从荧光寿命图中发现Ga3+、In3+的掺杂对样品中 yb3+和Tm3+之间的能量传递产生了影响。 化学共沉淀法具有粉体纯度高、化学均匀性良好等优点，本文采用化学共沉淀法 万方数据 广东工业大学硕士学位论文在 广东工业大学硕士学位论文 在1000℃的温度下合成了一系列不同浓度的镓铟共同取代的稀土掺杂的YAG上转换 荧光粉。通过分析合成过程中失重变化对荧光粉的合成工艺进行研究，样品在245℃时 发生激烈反应，在500。C之后逐渐处于晶化过程。结构测试表明基质中Ga和IIl取代 Al没有影响YAG晶相的形成。相对于对应稀土掺杂YAG，Ga和hl取代AI导致发射 峰形没有产生变化，且发射强度随镓铟的掺杂浓度的增加而增强。荧光粉在980nm激 光激发下实现了上转换，荧光粉发射光谱发生蓝移现象，并且取得了适合的共掺量， 此时其相对发光强度最大。 关键词：上转换；共沉淀法；钇铝石榴石；光谱特性 II 万方数据 ABSTRACTABSTRACT ABSTRACT ABSTRACT In recent years．rare-earth doped upconversion phosphors