电力电子建模功率半导体器件.pptVIP

主电路直流电压：Uin=500V 开关频率：fc=100kHz 驱动电源电压：Vcc=10~20V 状态1：Q1断、Q2通；Q3通、Q4断。此时，S1关断，S2开通。+15V经过DB给自举电容CB充电，直至+15V。 状态2：Q1通、Q2断；Q3断、Q4通。此时，S2关断。自举电容CB充经过Q1进行放电，直至S1完全开通。 承受的反向电压：Urrm=Uin 正向平均电流：IF=Qgfs 只能选超快恢复二极管 自举电路参数选择 DB 占空比不能过小 五、绝缘栅晶体管（IGBT） 1、工作机理 由N沟道MOSFET驱动的PNP型GTR！ 不具有反向流通能力； 关断时有电流拖尾现象！ 关断时，基区过剩载流子无处释放，只能缓慢复合！ 电流拖尾导致关断损耗很大，成为Ps的主要部分！ 2、特性曲线 UGE不变，iC和UCE的函数关系。 iC一定， UGE越大，UCE(sat)越低！ 反向阻断电压极低，在需要反向阻断的场合必须串联二极管使用！ 逆阻型IGBT具有反向阻断能力！ 在器件的放大区中，维持UCE不变，iC与UGE的函数关系。 3、等效电路 没有寄生二极管！ 个别厂家将IGBT和二极管集成在一个芯片中，使之具备反向续流能力！ 容性开通损耗远远小于MOSFET，可以忽略！ 电流密度为MOSFET的20倍，相同电流定额下的芯片面积小，极间电容小！ 4、主要参数（以IXH35N120A为例