电子封装专用设备 第2章 半导体芯片制造工艺与设备.docxVIP

PAGE \* MERGEFORMAT 1 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc428777744 第2章 半导体芯片制造工艺与设备 PAGEREF _Toc428777744 \h 1 HYPERLINK \l _Toc428777745 2.1 概述 PAGEREF _Toc428777745 \h 1 HYPERLINK \l _Toc428777746 2.2薄膜生成工艺 PAGEREF _Toc428777746 \h 5 HYPERLINK \l _Toc428777747 2.2.1薄膜生成方法 PAGEREF _Toc428777747 \h 5 HYPERLINK \l _Toc428777748 2.2.2氧化工艺 PAGEREF _Toc428777748 \h 6 HYPERLINK \l _Toc428777749 2.2.3淀积工艺 PAGEREF _Toc428777749 \h 7 HYPERLINK \l _Toc428777750 2.3图形转移工艺 PAGEREF _Toc428777750 \h 10 HYPERLINK \l _Toc428777751 2.3.1 图形化工艺方法 PAGEREF _Toc428777751 \h 10 HYPERLINK \l _Toc428777752 2.3.2光刻工艺 PAGEREF _Toc428777752 \h 11 HYPERLINK \l _Toc428777753 2.3.3 刻蚀工艺 PAGEREF _Toc428777753 \h 16 HYPERLINK \l _Toc428777754 2.4参杂工艺 PAGEREF _Toc428777754 \h 17 HYPERLINK \l _Toc428777755 2.4.1扩散 PAGEREF _Toc428777755 \h 17 HYPERLINK \l _Toc428777756 2.4.2离子注入 PAGEREF _Toc428777756 \h 18 HYPERLINK \l _Toc428777757 2.5其他辅助工艺 PAGEREF _Toc428777757 \h 19 HYPERLINK \l _Toc428777758 2.5.1热处理工艺 PAGEREF _Toc428777758 \h 19 HYPERLINK \l _Toc428777759 2.5.2清洗工艺 PAGEREF _Toc428777759 \h 21 HYPERLINK \l _Toc428777760 2.5.3 CMP PAGEREF _Toc428777760 \h 22 HYPERLINK \l _Toc428777761 2.6 半导体芯片制造工艺设备 PAGEREF _Toc428777761 \h 23 HYPERLINK \l _Toc428777762 2.6.1半导体芯片制造工艺设备分类 PAGEREF _Toc428777762 \h 23 HYPERLINK \l _Toc428777763 2.6.2 半导体制造的关键设备 PAGEREF _Toc428777763 \h 错误！未定义书签。 TOC \o 1-3 \h \z \u 第2章 半导体芯片制造工艺与设备 2.1 概述 1. 固态半导体芯片的制造过程 半导体芯片的种类及结构形式有多种多样，但是制造过程基本相同。以固态半导体芯片的制造过程为例，固态半导体器件制造大致经历5个阶段：材料准备、晶体生长和晶圆准备、晶圆制造和分选、封装、终测。 这五个阶段是独立的，分别作为半导体芯片制造的工艺过程，一般由不同的企业独立完成。 （1）材料准备 材料准备是指半导体材料的开采并根据半导体标准进行提纯。硅以沙子为原料，沙子通过转化可成为具有多晶硅结构的纯净硅。 （2）晶体生长和晶圆准备 在固态半导体器件制造的第二个阶段，材料首先形成带有特殊的电子和结构参数的晶体。之后，在晶体生长和晶圆准备工艺中，晶体被切割成被称为硅片（通常也被称为晶圆）的薄片，并进行表面处理。如图2.1所示，第二阶段工艺过程分为十个步骤：单晶生长、生成单晶硅锭、单晶硅锭去头和径向研磨、定位边研磨、硅片切割、倒角、粘片、硅片刻蚀、抛光、硅片检查。 图2.1 晶体生长和晶圆准备 晶体生长和晶圆准备设备包括单晶硅制造设备、圆片整形加工研磨设备、切片设备、取片设备、磨片倒角设备、刻蚀设备、抛光设备、清洗和各种检验设备等，最后是包装设备。 （3）晶圆制造 第三个阶段是晶圆制造，也叫集成电路的制造或芯片制造，也就是