光电导衰退测量少数载流子寿命.PDFVIP

光电导衰退测量少数载流子的寿命 一、 目的 本实验的目的是学会用高频光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命。 半导体中少数载流子的寿命对双极型器件的电流增益、正向压降和开关速度等起着决定 性作用。半导体太阳能电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率也 和载流子的寿命有关。因此，半导体中少数载流子寿命的测量一直受到广泛的重视。 测量少数载流子寿命的方法很多，分别属于瞬态法和和稳态法两大类。瞬态法是由测量 半导体样品从非平衡态向平衡态过渡过程的快慢来确定载流子寿命。例如：对均匀半导体材 料有光电导衰退法，双脉冲法，相移法；对 P-N 结二极管有反向恢复时间法，开路电压衰 退法。稳态法是由测量半导体处在稳定的非平衡时的某些物理量来求得载流子的寿命。例如： 扩散长度法，稳态光电导法，光磁效应法，表面光电压法等。近年来，许多文章介绍扫描电 镜测量半导体的少数载流子扩散长度。在硅单晶的检验和器件工艺监测中应用最广泛的是光 电导衰退法和表面光电压法，这两种测试方法已经被列入美国材料测试学会(ASTM)的标准 方法。 光电导衰退法有直流光电导衰退法、高频光电导衰退法和微波光电导衰退法。其差别主 要在于用直流、高频电流还是微波来提供检测样品中非平衡载流子的衰退过程的手段。直流 法是标准方法，高频法在硅单晶质量检验中使用十分方便，而微波法则可以用于器件工艺线 上测试晶片的工艺质量。 二、 原理 以光子能量略大于半导体禁带宽度的光照射样品，在样品中激发产生非平衡电子和空 穴。若样品中没有明显的陷阱效应，那么非平衡电子和空穴浓度相等，他们的寿命也就相同。 如果所采用的光在半导体中的吸收系数比较小，而且非平衡载流子在样品表面复合掉的部分 可以忽略，那么光激发的非平衡载流子在样品内可以看成是均匀分布。设 t=0 时停止照射， 非平衡的电子和空穴将不断复合而逐渐减少。对于 n 型半导体中任意一点，非平衡载流子流 d p ∆ 过体内复合中心消失的复合率是− ，它和非平衡载流子的浓度∆p 成正比。即： dt d∆p − β∆p (1) dt 在非平衡少数载流子浓度∆p 比平衡载流子浓度n0 小得多时，(1)式中的β是一个常数。设 t=0 时，∆p=∆p(0) ，由式(1)可得： ∆p ∆p (0) exp(−βt) (2) 非平衡少数载流子的平均存在时间就是少数载流子寿命 ∞ ∫ td∆p τ 0 (3) p ∞ ∫ d∆p 0 1 将(2)式代入(3)式中，得：τp (4) β t 因此，(2)式可以写成： p p (5) ∆ ∆ (0) exp(− ) τ p 上式表明，非平