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器件应力降额标准
规范代码:
版本:V1.0
研发部
执笔人:研发三部
XXX研发部
PAGE
器件应力降额规范
XXX电力系统技术有限公司
修订信息表
版本
修订人
修订时间
修订内容
V1.0
研发三部
2008-8-11
新制定
XXX电力系统技术有限公司器件应力降额标准(V1.0)
第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 106 页
目录
TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc206382860 第一部分 总则 PAGEREF _Toc206382860 \h 3
HYPERLINK \l _Toc206382861 1 前言 PAGEREF _Toc206382861 \h 3
HYPERLINK \l _Toc206382862 2 目的 PAGEREF _Toc206382862 \h 4
HYPERLINK \l _Toc206382863 3 适用范围 PAGEREF _Toc206382863 \h 4
HYPERLINK \l _Toc206382864 4 关键词 PAGEREF _Toc206382864 \h 4
HYPERLINK \l _Toc206382865 5 引用/参考标准或资料 PAGEREF _Toc206382865 \h 4
HYPERLINK \l _Toc206382866 6 产品等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 PAGEREF _Toc206382866 \h 5
HYPERLINK \l _Toc206382867 6.1 产品等级的定义 PAGEREF _Toc206382867 \h 5
HYPERLINK \l _Toc206382868 6.2 关于I、II工作区、产品额定工作点的定义 PAGEREF _Toc206382868 \h 5
HYPERLINK \l _Toc206382869 7 偏离降额的说明 PAGEREF _Toc206382869 \h 8
HYPERLINK \l _Toc206382870 第二部分 降额规范内容 PAGEREF _Toc206382870 \h 9
HYPERLINK \l _Toc206382871 第一章 半导体分立器件 PAGEREF _Toc206382871 \h 9
HYPERLINK \l _Toc206382872 1.1功率MOSFET降额规范 PAGEREF _Toc206382872 \h 9
HYPERLINK \l _Toc206382873 1.2 IGBT降额规范 PAGEREF _Toc206382873 \h 12
HYPERLINK \l _Toc206382874 1.3 晶闸管降额规范 PAGEREF _Toc206382874 \h 14
HYPERLINK \l _Toc206382875 1.4 整流桥降额规范 PAGEREF _Toc206382875 \h 16
HYPERLINK \l _Toc206382876 1.5 功率二极管降额规范 PAGEREF _Toc206382876 \h 17
HYPERLINK \l _Toc206382877 1.6 信号二极管降额规范 PAGEREF _Toc206382877 \h 19
HYPERLINK \l _Toc206382878 1.7 稳压二极管降额规范 PAGEREF _Toc206382878 \h 21
HYPERLINK \l _Toc206382879 1.8 TVS器件降额规范 PAGEREF _Toc206382879 \h 23
HYPERLINK \l _Toc206382880 1.9 发光二极管、数码管降额规范 PAGEREF _Toc206382880 \h 25
HYPERLINK \l _Toc206382881 1.10 三极管降额规范 PAGEREF _Toc206382881 \h 27
HYPERLINK \l _Toc206382882 第二章 IC类器件 PAGEREF _Toc206382882 \h 30
HYPERLINK \l _Toc206382883 2.1数字集成电路降额规范 PAGEREF _Toc206382883 \h 30
HYPERLINK \l _Toc206382884 2.2 运放、比较器降额规范 PAGEREF _Toc
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