纳米Si012/n复合薄膜低温热膨胀系数的试验研究.pdfVIP

纳米Si012/n复合薄膜低温热膨胀系数的试验研究.pdf

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第29卷第1期 北京交通大学学报 v01.29No.1 至Q堕篁2旦 』垡堡基△L堡墼丛!垒堕』坠垡旦堕堑至型13堡垦墨!坠[E鱼;2Q箜 文章编号:1673—0291(2005)01—0044—04 纳米Si012/n复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究 王正道1,蒋少卿1,李艳2,付绍云2 (1.北京交通大学土木建筑工程学院,北京100044;2.中国科学院理化技术研究所,北京100080) 摘 要:高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为 了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米Si02对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备 了不同Si02含量的纳米Si02佃I复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了Si02含量、外加 置,对纳米SiQ/PI复合薄膜室温至低温(77 载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系. 关键词:固体力学;聚酰亚胺;二氧化硅;低温;热膨胀系数 中图分类号:039;TBl31文献标识码:A ResearchonCTEsof Experimental Si02/PI atL0w NanocompositesTemperature 眦NG拐e孵如01,JMNGS砌肛qi曙1,LJ妩孢2,FUS妇伊w孢2 ofCivil a11d (1.Sch00l 100044,olim; Engine面ngArchitecture,蹦i119Jiaot0119UmverSity,Be日ing 2.TecmcalInStituteof and of PhysicsCh鲥stry,嘶neseAcadelllyScienceS,Be日ing100080跚m) Abstr舵t:ThecOefficientofthemlal ofPIfilmisoneofthese南us f凹its high eXp肌sion diSadvantageS aS to itS inthe a themalorelectricalinSulator.Inorderdecrease 印plicationcryogenic a陋,nan口 isusedaSanadditiveto different films Si02 SyntheSizeSiOI—contentsSiOl/PInanocompositebysol—gd uSeofa deviceforfilm of materials,the口rEs technique.BySelf—designeda陋teSting Si02伊I filmsfromro。m tolow theinnu— K)aremeaSu

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