模拟电子技术复习题(选择题)浦.docVIP

模拟电子技术 2.1.1?在绝对零度（0K）时，本征半导体中 载流子。 有 B.没有 C.少数 D.多数 2丄2?在热激发条件卜少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生 A.负离了 A.负离了 B.空穴 C.正离了 D.电了■空穴对 2.1.3半导体中的载流子为 2.1.3半导体中的载流子为 o A.电子 B.空穴 C.正离子 2.1.4.N型半导体中的多子是 o D.电子和空穴 A.电子B. A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 2.1.5.P型半导休屮的多子是 A.电子B. A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 2.2.1?当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。 A.大于 B.小于 C.等与 2.22当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A.大于 B.小于 C.等于 3.2.11在单级共射放大电路屮,若输入电压为正弦波形，则V0和的相位 3.2.11在单级共射放大电路屮, 若输入电压为正弦波形，则V0和的相位 A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定 3212?在单级其基放大电路中, 若输入电压为疋弦波形，则Vo和Vj的 相位 A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定 3213?既能放人电压，也能放人电流的是 组态放人电路。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 3.6.10?在单级共集放大电路中，若输入电压为疋弦波形，则％和片的相位 A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定 3612?可以放人电压，但不能放人电流的是 组态放大电路。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 3.6.13?可以放大电流，但不能放大电压的是 组态放大电路。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 3.6.14?在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是 组态。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 3615在共射、共集和共基三种基本放人电路组态小，输入电阻最人的是 组态。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 3616在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是 组态。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 3.6.17在共射、共集和共基三种基木放人电路组态中，输出电阻最小的是 组态。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定 TOC \o 1-5 \h \z 3.7.10?多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一?级都 o A.大 B.小 C.宽 D.窄 3.7.11多级放大电路的级数愈多则上限频率切越 o A.人 B.小 C.宽 D.窄 4.1.1场效应管是利用外加电压产牛的 来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 4.1.2场效应竹是 器件。 A.电压控制电压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流 4.1.3?三极管是 器件。 A.电压控制屯压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流 4.1.4结型场效应管利用删源极间所加的 来改变导电沟道的电阻。 A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流 4.1.5?场效应管漏极电流山 的漂移运动形成。 A.少子 B.电子 C.多子 D.两种载流子 4.1.6P沟道结型场效应管的夹断电压Up为 o A.正值 B.负值 C.vGS D.零 4.3.1-N沟道结型场效应管的夹断电压Vp为 。 A.正值 B.负值 C.零 4.3.2 P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为 A.止值 B.负值 C.零 621?差分放大电路产牛?零点漂移的主要原因是： 。 A.电压增益太大 B.环境温度变化 C.采用直接耦合方式 D.采用阻容耦合方式 623?差分放大电路中，当Vi,=300mV, vi2=200mV时，分解为共模输入信号为_ A. 500mV B. 100mV C. 250mV D. 50mV 6.2.4?差分放大电路中，当vu=300mV, vi2=280m V, A VD= 100 VC= 1时，输出电压为 A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V TOC \o 1-5 \h \z 627共摸抑制比Kwr越大，表明电路 o A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制零票能力越强 D.输入信乃中的弟模成分越人 629?差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益 o A.增加一倍 B.为双端输入时的1/2 C.不变 D.不确定 7.1丄对于放大电路，所谓开环是指 o A.无负载 B.无信号源 C.无反馈通路 D.无电源 7.12所谓闭环是指 o A.接入负载 B.接入信号源 C.有反馈通路 D.接入电源 7.1.3?构成反馈通路的元件 - A.只能是电阻 B.只能是晶体管、集成