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内外杯结构图 内外杯整体侧视 内杯侧视 内外杯整体俯视 内杯底部俯视 外杯和盖板构造 杯镀机镀液循环系统 喷镀设备的基本工作原理为：在控制电路作用下，贮液槽中的电镀液由泵抽出，经过流量计、过滤器，进入电镀杯，并从下往上喷射到硅圆片有源面，进行凸点的电镀。然后电镀液又从电镀杯的溢出口流出，返回到贮液槽。在电场的作用下，发生氧化还原反应，阳极块溶解在镀液中，圆片表面开口处析出单质铜。 喷镀的基本工作原理 喷液前 喷液中 喷液中 电镀过程示意图 光刻胶 WAFER WAFER 开口 开口 光刻胶 AZ胶 JSR胶 UBM Cu2+ Cu2+ 首先在WAFER表面溅镀上一层Under Bump Metal(简称UBM)，在完成UBM制程后随即进入光刻制程，就是在UBM表面涂上一层具有感光效果的光刻胶，再用光刻板进行图形转移，露出需要长BUMP部位的UBM,随后在电镀过程中，镀液进入开口，在电场的作用下，在裸露的UBM表面发生电化学反应，析出单质铜。 NEXX挂镀 NEXX挂镀流程 电镀工序的质量控制 1、bump高度的控制 ： 1）温度的影响 温度对电镀的影响从表面现象上是很难被看出，但其对电镀的影响是比较大的，因为镀液中的离子的活性主要由温度控制（及离子交换的能量要由外界提供），温度升高，化学反应速度增加，在同样条件下镀层厚度较高，反之则较低。 2）镀液成分影响--添加剂的影响 镀液的主要成分为CuSO4+H2SO4，另外为调节电镀速度和产品品质在镀液中添加了一定含量的有机分子和微量离子,在电镀过程中受电场的驱动，化学反应在WAFER表面上连续发生。有机分子和微量的离子，例如光亮剂、整平剂以及铜镀液中的氯离子，在调解反应发生和影响金属生长上都起着非常重要的作用。光亮剂之类的有机添加剂可以提高离子成核的可能性，相对来说就是抑制了晶粒生长，这样可以得到晶粒细密或表面光亮的沉积层。整平剂之类的有机添加剂可以抑制圆片表面的尖端放电现象，减缓凸起点的晶粒生长，从而使圆片表面宏观上趋于平整，对降低表面的粗糙度有重要作用。 3）电镀时间的影响：电镀镀层厚度随电镀时间的增加而增加，在相同的电镀条件下，时间增加镀层厚度较厚，反之则较薄。 4）镀液流速的影响：电镀过程中镀液不断进行循环流动，保证接触圆片开口的镀液都是新鲜的镀液，如果流速不足，则会导致局部镀液浓度差异，影响电镀均匀性。 5）电镀电流：电镀电流等于电镀面积*电流密度，所以理论上在电镀面积相同的情况下电镀电流为恒定不变，电镀时间增加，通过的电量增加，电镀高度较高，反之则较低。 6）电流密度的影响：电流密度为25ASF为高铜镀液，低铜镀液的电流密度为17ASF。电镀液的电流密度在很大程度上决定了电镀过程中金属颗粒沉积的晶粒大小和速度，放慢金属沉积的速率从而更好的控制WAFER内的凸块高度的均匀性。 7）腐蚀工序的控制：腐蚀时间、腐蚀的流量、滤芯过滤效果、腐蚀液浓度、 当过微腐蚀时会出现Bump脱落。 溅射工序 UBM层氧化 UBM剥落 漏长、不完整凸块 光刻 返工影响开口变色 残胶 来料 开口氧化、变色 开口掉铝或有钝化层 2、表面缺陷分析 举例：漏长、不完整凸块 a)处理浓度偏高 电镀工序 待料时间长 前处理不当 b)处理时间错误 c)过腐蚀（Cu、Ti） 装片夹具、返工 五、改进措施及工序控制要点 工 序 措施及工序控制要点 方 法 目 的 IQA 1、进料检验：重点控制沾污、颗粒、擦伤、开口氧化变色、掉铝、钝化层异常。 2、各工序跟踪 图谱记录 跟踪单 减少沾污、颗粒、擦伤、及后续缺陷判别 Sputter 对来料有沾污、颗粒放行的产品加强预清洗频度（如沾污、颗粒严重的增加清洗时间或改变 清洗方式。 控制好溅射台腔体气氛→真空度、前处理 。 机台及自动手控制，确保机台不卡机碎片。 图谱记录 PM管理 定期检查保养 减少沾污颗粒 UBM结合力 减少碎片 photo 1、对光刻版存在的针孔、破洞进行确认，统计破的数量、确定部位。 2、控制显影时间、显影液更换频次、曝光照度、开口完好无残胶。 3、光刻版清洗频次。 4、减少返工频次，（去胶液影响开口UBM层的变色） 提供图谱样本 加强显影后自检 记录清洗频次 减少残留 减少不完整凸块 减少颗粒 工 序 措施及工序控制要点 方 法 目 的 plating 控制好电镀前处理，确保开口清洁无异物。 控制夹具触点，及触点部位的