第4章 场效应管放大电路.pptVIP

4.1.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)，是由金属(铝)、氧化物(二氧化硅)及半导体材料构成的，简称MOS管，又称绝缘栅场效应管 (IGFET)。 4.1.2 结型场效应管 2．交流参数 (2) 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 说明了vDS对iD的影响，是输出特性某一点上切线斜率的倒数。 考虑沟道调制效应时，N沟道增强型MOS管 (3)极间电容Cgs、Cgd和Cds 3．极限参数 (1) 最大栅-源电压V(BR)GS (2) 最大漏-源电压V(BR)DS (3) 最大漏极电流IDM (4) 最大耗散功率PDM 4.1.4 各种场效应管的特性比较 图4.1.13 各种场效应管的符号 图4.1.14 各种场效应管的特性曲线 (a) 转移特性 (b) 输出特性 4.1.5 场效应管使用注意事项 MOS管使用时，应将衬底与源极连在一起，以减小源极、衬底之间电压对管子导电性能的影响。 场效应管的源极与漏极一般可以互换。 结型场效应管的栅源电压不能接反，但可开路保存。 绝缘栅型场效应管，在存放和工作中，应避免栅极悬空。可在栅源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护。 焊接时，烙铁外壳必须良好接地，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。特别是焊接MOSFET时，最好断电后再焊。 4.2 场效应管放大电路 4.2.1 场效应管共源放大电路 4.2.2 场效应管共漏放大电路 4.2.3 场效应管共栅放大电路 4.2.4 场效应管与晶体管放大电路的比较 4.2.5 场效应管放大电路的频率响应 场效应管基本放大电路也有三种组态，即共源组态放大电路、共漏组态放大电路和共栅组态基本放大电路，与双极型晶体管基本放大电路的共射组态放大电路、共集组态放大电路和共基组态基本放大电路相对应。 4.2.1 场效应管共源放大电路 1. 静态分析 (1) 自给偏压电路 图4.2.1 场效应管共源自给偏压电路 自给偏压电路适用于结型场效应管基本放大电路和耗尽型绝缘栅型场效应管。 静态工作点IDQ、VGSQ和VDSQ的计算： 静态时栅极电流为零，栅极电位VG=0V，则栅源为负偏压，即： 解得IDQ、VGSQ和VDSQ (2) 分压偏置电路 1. 静态分析 图4.2.2 场效应管共源分压偏置电路 该偏置电路适合各种类型的场效应管放大电路。图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，R是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。 图4.2.3 分压式偏置电路的直流通路 可解得IDQ、VGSQ和VDSQ 对于增强型绝缘栅型场效应管，其漏极电流方程为 式中，IDO是vGS=2VT时所对应的iD。 (2) 分压偏置电路 例4.2.1 电路如图4.2.4所示，已知场效应管的VP=－1V，IDSS=0.5mA，其余电路参数如图中标注，试确定Q点。 图4.2.5 例4.2.1电路 解：将已知条件带入以下两式 得 mA 而IDSS=0.5mA，IDQ不应大于IDSS，所以IDQ=(0.95-0.64)mA=0.31mA 将IDQ分别代入VGSQ和VDSQ的表达式，可解得： VGSQ≈0.22V，VDSQ≈8.1V 2. 动态分析 (1) 场效应管的小信号模型 图4.2.5 场效应管的低频小信号模型 由于栅源之间的输入电阻非常大，认为栅极电流为零，输入回路只有栅源电压存在。 输出回路是受控源并联输出电阻rds。受控源为电压控制电流源。 一般rds为几十千欧到几百千欧，通常可以忽略其影响。 该模型仅适用于中低频段。 (2) 动态分析 图4.2.6 图4.2.1(a)电路的小信号等效电路 1) 电压增益 因vi=vGS，所以 式中R’L=Rd//RL。 式中Ri是放大电路输入电阻 。 2) 输入电阻 3) 输出电阻 图4.2.7 求解图4.2.1(a)电路输出电阻的小信号等效电路 退出 淮阴师范学院物理与电子电气工程学院 退出 淮阴师范学院物理与电子电气工程学院 第4章 场效应管放大电路 4.1 场效应管 4.2 场效应管放大电路 场效应管利用电场效应来控制载流子运动。 依靠半导体多数载流子导电工作，又称为单极型晶体管。 具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、 制造工艺简单、便于集成等优点。 场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)简称场效应管。 本章学习目的和要求 1. 熟悉场效应晶体管(JFET和MOSFET