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第3章 微波集成传输线 (1) 导带厚度为零时的空气微带的特性阻抗 及有效介电常数εe ： （3-1-26） （3-1-27） 式中，w/h是微带的形状比；w是微带的导带宽度；h为介质基片厚度。 工程上，有时用填充因子q来定义有效介电常数εe，即： （3-1-28） 　　q值的大小反映了介质填充的程度，当q=0时，εe=1，对应于全空气填充；当q=1时， εe=εr，对应于全介质填充。 式中，w/h是微带的形状比；w是微带的导带宽度；h为介质基片厚度。 (2) 导带厚度不为零时空气微带的特性阻抗Za0 当导带厚度不为零时，介质微带线的有效介电常数和空气微带的特性阻抗Za0必须修正。 此时导体厚度t≠0可等效为导体宽度加宽为we，这是因为当t≠0时，导带的边缘电容增大，相当于导带的等效宽度增加。 当t＜h，t＜w/2时相应的修正公式为： (3-1-37) 在前述零厚度特性阻抗计算公式中，用we/h代替w/h即可得非零厚度时的特性阻抗。 由图可见：介质微带特性阻抗随着w/h的增大而减小；相同尺寸条件下，εr越大，特性阻抗越小。 图 3-6 微带线特性阻抗随w/h的变化曲线 2) 波导波长λg 微带线的波导波长也称为带内波长，即： (3-1-38) 　　显然，微带线的波导波长与有效介电常数εe有关, 也就是与 有关, 亦即与特性阻抗Z0有关。 对同一工作频率, 不同特性阻抗的微带线有不同的波导波长。 3) 微带线的衰减常数α (1) 导体衰减常数αc 　　由于微带线的金属导体带和接地板上都存在高频表面电流，因此存在热损耗。 为了降低导体的损耗，除了选择表面电阻率很小的导体材料（金、银、铜）之外，对微带线的加工工艺也有严格的要求。 一方面加大导体带厚度，这是由于趋肤效应的影响，导体带越厚，则导体损耗越小，故一般取导体厚度为5~8倍的趋肤深度；另一方面，导体带表面的粗糙度要尽可能小，一般应在微米量级以下。 (2) 介质衰减常数αd 一般情况下，微带线的导体衰减远大于介质衰减，因此一般可忽略介质衰减。但当用硅和砷化镓等半导体材料作为介质基片时，微带线的介质衰减相对较大，不可忽略。 4) 微带线的色散特性 当频率较高时，微带线中由TE和TM模组成的高次模使特性阻抗和相速随着频率的变化而变化，即具有色散特性。 5) 高次模与微带尺寸的选择 微带线的高次模有两种模式：波导模式和表面波模式。 波导模式存在于导带与接地板之间，表面波模式则只要在接地板上有介质基片即能存在。 对于波导模式可分为TE模和TM模，其中TE模最低模式为TE10模，其截止波长为： (3-1-44a) 而TM模最低模式为TM01模, 其截止波长为： (3-1-44b) 对于表面波模式，是导体表面的介质基片使电磁波束缚在导体表面附近而不扩散，并使电磁波沿导体表面传输，故称为表面波，其中最低次模是TM0模，其次是TE1模。 根据以上分析, 为抑制高次模的产生, 微带的尺寸应满足： (3-1-45) (3-1-46) TM0模的截止波长为∞，即任何频率下TM0模均存在。 TE1模的截止波长为： (3-1-47) 实际常用微带采用的基片有纯度为99.5%的氧化铝陶瓷(εr=9.5~10,tanδ=0.0003)、聚四氯乙烯(εr=2.1,tanδ=0.0004)和聚四氯乙烯玻璃纤维板(εr=2.55, tanδ=0.008); 使用基片厚度一般在0.008~0.08 mm之间，而且一般都有金属屏蔽盒，使之免受外界干扰。 屏蔽盒的高度取H≥(5-6)h，接地板宽度取a≥(5-6)w。 3. 耦合微带线 耦合微带传输线简称耦合微带线, 它由两根平行放置、 彼此靠得很近的微带线构成。 耦合微带线有不对称和对称两种结构。 两根微带线的尺寸完全相同的就是对称耦合微带线, 尺寸不相同的就是不对称耦合微带线。 耦合微带线可用来设计各种定向耦合器、滤波器、平衡与不平衡变换器等。 这里只介绍对称耦合微带线。 图 3–7 对称耦合微带线的结构及其场分布 对称耦合微带线的结构及其场分布如图