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第7卷 第 1期 集美大学学报 (自然科学版) V0I-7 No.1
2002年 3月 JournalofJimelUniversity(NaturalScience) MaL 2002
[文章编号]1007—7405c2002】01—0066—04
纵 向驱动巨磁阻抗效应的解释
王 宗 篪
(三明高等专科学校物理系,福建 三明365004)
[摘要]测定了FecuNb V:Si 纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外
磁场变化的曲线.从相频曲线的峰位可确定出样品趋肤效应的临界频率 从临界频率随外磁场的变化,解
释了纵向驱动巨磁阻抗效应与趋肤效应的关系 从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律得
出,低频纵向驱动巨磁阻抗效应是磁电感效应 ,与磁损耗相应的 ”随外磁场的变化是引起高频纵向驱动巨
磁阻抗效应 的重要原因
[关键词] 基纳米微晶1纵向驱动巨磁阻抗效应;相位;趋肤效应
[中图分类号]TM2712 [文献标识码]A
0 引言
巨磁阻抗效应是近年新发现的一种物理现象.由于该效应在室温下对小直流磁场具有巨大和灵敏
的响应,所以在高灵敏的磁传感器、磁记录头等方面有广阔的应用前景,从而受到人们的普遍关注.
许多研究表明,巨磁阻抗效应与材料的软磁性和磁结构有着密切关系,并与交流驱动场和直流外磁场
密切相关 。.对于具有横向磁结构的c0基非晶材料在横向驱动场下,磁阻抗比高达360%_3】+对
具有纵向磁结构的Fe基纳米微晶带,采用纵向驱动方式已发现非常显著的巨磁阻抗效应
纵向驱动巨磁阻抗效应与磁性材料的退火温度 、磁结构、驱动场频率等因素的关系已在文献
[4]中作了全面的讨论,但是,对磁阻抗的相应与磁结构、驱动场的频率和外磁场等的关系的研究
报道还不多,纵向驱动巨磁阻抗效应的机制 尚不十分清楚.笔者测定了FecuNb V。si B 纳米微
晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律,讨论了纵向驱动巨磁阻抗效
应的机制和频率特性.
1 实验
非晶薄带 Fe cu。 。V:Si。B 是 由单辊快淬法制备而成,样品长为4cin,宽 0.8mln,厚
25 m,在540。c退火温度下可获得最佳软磁特性 此时,用X射线衍射和穆斯堡尔谱分析,可确定
晶化后的样品是由直径为 15nm左右的晶粒与30%的剩余非晶相组成 .把样品放人螺线管内,组
成一个等效阻抗元件,当螺线管通有交变电流时,对样品产生了一个交流纵向驱动场.采用
HP4194A阻抗分析仪测定等效阻抗元件的阻抗和相位.等效阻抗元件可看成月与X的串联,由法拉
第定律和欧姆定律容易求得等效阻抗的相位
= g【。。(X/R)= g【。。(tl, ) (1)
[收稿 日期]2001—07—02
[作者简介]王宗篪 (1956一),男,教授,硕士 ,从事磁学研究
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第 1期 王宗篪:纵向驱动巨磁阻抗效应的解释 ·67·
式中 、 分别是样品的复磁导率实部和虚部. 决定于单位体积铁磁体在动态磁化过程中的磁能储
存量, 代表单位体积的铁磁体在交变磁场 中每磁化一周的磁能损耗.把放有样品的螺线管置于
Helmholtz线圈中心,其直流外磁场方 向与螺线管轴 向平行,且与地磁场垂直,测量在室温下进行,
监控电流显示,通过螺线管的驱动电流强度 ,VITI$=5MA.
2 结果与讨论
图1显示了Fe3cu1Nb5 Si”5B9纳米微晶带在
纵向驱动场下阻抗的相应频谱.图中显示出谱线有
一 个峰,笔者把峰位对应的频率称为特征频率,‘.
当H。=0时,样品 的f ‘=15kHz,当外磁场为
1.5Oe和3Oe时,, 分别为 500kHz和 3MHz.因罂
此,随外磁场增大,
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