康第三章 场效应管(3).ppt

根据图可写出下列方程 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQR IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VGS(off))]2 VDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。 （3-2-3） 例3：直流分析：用（3-2-3） 三、截止区 特点： 沟道全夹断的工作区。 条件： VGS VGS(off) iG≈0，iD=0 四、击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极PN结雪崩击穿。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V ? 造成 ID剧增。 VGS 越负? 则VGD 越负? 相应击穿电压V(BR)DS越小。 击穿电压V(BR)DS： V(BR)DS＝VGS- V(BR)GD JFET电路模型同MOS管，但两种管在饱和区的数学模型不同，因此，跨导计算公式也不同。 JFET电路模型 VGS S D G ID IG?0 ID(VGS) + - gmvgs rds g d s id vgs - vds + + - S ID G D （共源极） （直流电路模型） （小信号模型） 利用 得 （3-2-5） JFET是压控电流器件，iD受VGS控制。 预夹断前iD与VDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结反偏，故iG?0，Ri很高，可达107以上，但在某些场合仍不够高。 JFET小结 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间 的电阻会显著下降。 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可很好地解决这些问题。 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 JFET主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS。 ④ 输出电阻rd： JFET主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 场效应管 晶体管 电极 g、s、d b、e、c 控制类型 电压输入控制 VCCS(gm) 电压、电流输入控制 CCCS(β) 控制能力 较弱（gm较小） (gm≈1~5mS) 较强（β、 gm较大） (β ≈20~100) 参与导电的载流子 多子导电 单极型器件 多子扩散、少子漂移 双极型 噪声系数 小 大 3.3 场效应管和双极型管比较 D与S可互换，设计方便 C与E不可互换用 场效应三极管 双极型三极管 温度特性 较小,可有零温度系数点 受温度影响较大 输入电阻 很大，几兆欧姆以上 小，几十到几千欧姆 影响 静电、温度、辐射影响小 易受静电、温度、辐射影响 集成工艺 宜LSIC、ULSIC 不易大规模集成 iG小 EB结正偏，iB大， iD和vGS 平方 指数 3.3 场效应管和双极型管比较 各类FET管VDS、VGS极性比较 VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型 VGS极性取决于工作方式及沟道类型 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： N沟道FET：VDS 0，ID流入管子漏极。 P沟道FET：VDS 0，ID自管子漏极流出。 JFET管： VGS与VDS极性相反。 增强型：VGS 与VDS 极性相同。 耗尽型：VGS 取值任意。 MOSFET管 表3.2 FET偏置电压极性 　　　类型 　VGS 　VDS 　N-JFET 　负 　正 　P-JFET 　正 　负 　N-EMOS 　正 　正 　P-EMOS 　负 　负 　N-DMOS 正、零、负 　正 　P-DMOS 正、零、负 　负 N-EMOS管GD相连?构成有源电阻 3.4.1 有源电阻 3.4 场效应管应用原理 v = vDS= vGS， i = iD 由图知 满足 vDS vGS –vGS(th) 因此 当 vGS vGS(t