高比表面积有序多孔氧化错的合成与表征.PDF

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 , 年 月 , 文章编号 一 一 一 · 高 比表面积有序 多孔氧化错 的合成与表征 陈航榕 , 施剑林 , 张 文华, 严 东 生 中 国科 学院 上 海 硅 酸 盐研 究所 高性 能 陶瓷 与超 微 结 构 国家重 点 实验 室 , 上 海 摘 要 有序 多孔氧化错是近年来 国际上 的研 究热 点之 一 , 本文利 用表面活性剂辅助模板机 、 、 理成功地合成 出稳定性高 比表面积大 且有序度高 的多孔氧化错 , 、 、 一 , 并用 一 以及 吸 附 脱 附等方法进行 了表征 关 键 词 有序 , 多孔氧化错 , 合成 表征 中图分类号 文献标识码 引言 九十年代初 , 系列 氧化硅 介孔分子筛 的成功合 成 引起 了各 国研 究有序孔道 排 列 、 孔 的多 料 的强 烈 由于 多 化 、 吸 、 及 径大 小可调