平衡时载流子统计续主要问题.PDF

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第三讲 平衡时载流子统计 （续） 9 6 2002 月 ， 内容： 1. 平衡时电子浓度 2. 平衡时空穴浓度 3. 平衡时np乘积 4. 费米能级的位置 阅读作业 del Alamo Ch. 2 ，§§2.4-2.6 主要问题 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  在一个给定的半导体，在热平衡时有多少电子和空穴？  热平衡时的电子（空穴）在导带（价带）中是如何分布的？  如何计算ni ？  在一个给定半导体中费米能级在那里？它的位置是如何取决于掺杂水平的？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 平衡时载流子统计 问题：在一个半导体中，在TE 时有多少电子和空 ？ 答案：使用半导体能量观点和费米能级的概念严格的模型。 回答问题的策略： n 和E 1. 推导 0 F 的关系 p 和E 2. 推导 0 F 的关系 n p 和n 3. 推导 0 0 i 的表达式 4. 从附加的讨论计算出EF 的位置 （例如电中性） 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 平衡时载流子浓度 n 在整个导带中通过对电子浓度的积分得到 0 ： n (E 在特定的能级， 0 为CB 的态密度乘以占据几率的乘积： E 参考能级 C 的标准并通过kT 归一化。也就是，定义： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 同时定义： N -3 c cm 导带有效态密度 （ ） 19 − 3 Si 300K N c ; 2.9 10 cm 对 在 时， 。 那么： n