明月微电子BM8N70BMWWafer说明书-深圳市明月微电子限公司.PDFVIP

下载本文档

2
0
约3.5千字
约 4页
2019-02-25 发布于天津
举报
版权申诉

明月微电子BM8N70BMWWafer说明书-深圳市明月微电子限公司.PDF

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

明月微电子 BM8N70BMW Wafer 说明书 8.5A 700V High Voltage MOS Wafer-BM8N70BMW 产品描述 BM8N70BMW 是一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管芯片，采用VDMOS平面工艺技术制造而成。先进的工艺以及条状的Cell设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，提高产品的可靠性。极限参数（Tamb 25℃）参数名称符号额定值单位漏源电压 BVDSS 700 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 ID 8.5 A 工作结温 TJ 150 ℃ 存储温度 TSTG -55～+150 ℃ 1 4 深圳市明月微电子有限公司第页共页 http// 明月微电子 BM8N70BMW Wafer 说明书主要典型参数（Tamb 25℃）参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压 BVDSS VGS 0V，ID 250uA 700 - - V 栅源开启电压 VTH VGS VDS，ID 250uA 2 - 4 V 栅源极漏电流 IGSS VGS ±30V，VDS 0V - +100 nA 漏源极漏电流 IDSS VDS 700V，VGS 0V - - 1 uA 导通电阻 RDSON VGS 10V ID 1A(2) - 0.81 0.95 Ω 漏源极寄生 IS 2A，VGS 0V - 本体二极管 VFSD - V 正向导通压降芯片内部示意图 2 4 深圳市明月微电子有限公司第页共页 http// 明月微电子 BM8N70BMW Wafer 说明书芯片基本参数参数名称参数描述单位晶元尺寸 6’ Inch 管芯尺寸 3710.5x 4790 um*um 管芯数量 826 Dies/Wafer 晶