超声雾化法制备er3掺杂sno2薄膜结构与性质研究凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘要摘 摘要 摘 要 二氧化锡是～种n型宽禁带半导体材料。传统上，Sn02薄膜被广泛应用于透 明导电薄膜、气敏传感器和太阳能电池等领域。近年来，越来越多的研究者开 始关注Sn02薄膜纳米粒子的制备技术及新的光电性质的研究，它被认为是下一 代最具潜力的光电材料之一。尤其是二氧化锡掺稀土元素铒离子，发出1540nm 的红外光，正好对应于石英光纤的最小吸收波长，在光纤传输与光电子器件中 起着很重要的作用。 本文研究了超声雾化法制备薄膜工艺。以SnCl4·5H20作为前驱体溶液和 ErCl3·6H20作为掺杂剂，在玻璃衬底和硅片衬底上分别沉积不同工艺参数的掺 铒Sn02薄膜。主要研究了超声雾化器中前驱液浓度，载气流量和衬底温度对掺 铒二氧化锡薄膜的导电率和透过率的影响，以及铒掺杂浓度和退火温度对掺铒 Sn02薄膜的结构和光致发光性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电 子显微镜、四探针电阻仪、分光光度计和荧光光谱仪等测试手段对薄膜进行结 构和性能的测试。X．射线衍射图和SEM图表明，超声雾化法制备的掺铒Sn02 薄膜具有纯金红石结构和相当高的结晶形念，且薄膜表面较平整，薄膜粒子大 小随着掺铒浓度的增大而减小。通过对薄膜导电率和透过率的测试，结果表明： 当前驱液浓度为O．25mol／L，衬底温度为450。C，载气流量为400L／h时，用超声雾 化法制备的二氧化锡掺铒薄膜较均匀和透明。用荧光光谱仪对Sn02薄膜进行光 谱测量，激发光为266nm，结果发现在室温下样品发出橘黄色的可见光和 1540nm的红外光。经PL谱分析后，发现可见光来源于二氧化锡薄膜中氧空位 的发光，而红外处的发光则来自Sn02品格中取代Sn4+位置的Er3+4f能级的跃迁。 且当掺铒浓度为2m01％时，退火温度为1000。C时PL发光强度最强。过高浓度 掺杂下，会发生铒浓度淬灭现象。 关键词：掺铒发光、Sn0：薄膜、超声雾化法、退火温度 —————————————丝塑LAbstract —————————————丝塑L Abstract Tin dioxide(Sn02)is an n—type semiconductor with a wide band gap．Due to its nlgfl conductivity and good transparency in the visible spec咖m，which has been wldeJY used for transparent conducting electrodes，gas sensor and s01ar cells．In recent years，more and more researchers have began to study its new photoelectric propenies，it 1s extensively used as a functional material for optoelectronic devices． ESpecially doping E 3+，the transition of 1．549m is very important，since it corresponds to the minimum quartz fiber absorption of wavelength，being a very useful material in optical communication． Er-doped Sn02 thin films were deposited by ultrasonic atomization method．nle Intluence of Er doping concentrations and annealing temperature on the structure and photoIUlTIinescence property of Er-doped Sn02 thin films were discussed．X．rav dltli-actlon patterns and SEM images indicate that the Er．doped Sn02 thin films have pure 11lnle stmcture and better morphology with quite high crystallinitv． Photoluminescence of Er-doped Sn02 thin films were excited by 266m laserI the samples emit saffron yellow visible light and a